时间：2025/8/17 1:50:00
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CJPF04N60是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由华润微电子（China Resources Microelectronics）生产。该器件主要用于电源管理和功率转换应用，具备高耐压、低导通电阻和高可靠性的特点。CJPF04N60采用了先进的平面工艺技术，能够提供稳定的性能和高效的开关能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及其他需要高效功率控制的场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：≤2.5Ω（典型值）
耗散功率（PD）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、TO-252（DPAK）等
CJPF04N60 MOSFET具有多个显著的性能特点，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V VDS）使得该器件适用于中高压电源系统，如AC-DC电源适配器、LED驱动电源和工业控制电源等。其次，CJPF04N60具有较低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，增强了电路设计的灵活性。
在可靠性方面，CJPF04N60具备良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下稳定工作，适用于长时间运行的工业设备。其封装形式多样，包括TO-220和TO-252（DPAK），便于根据不同的散热需求和PCB布局进行选择。TO-220封装具有良好的散热性能，适合高功率应用；而TO-252则适用于表面贴装工艺，节省空间并提高组装效率。
此外，CJPF04N60的开关特性表现优异，具有较低的开关损耗，适合高频开关应用，如DC-DC转换器和逆变器系统。其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的能量消耗，从而进一步提高整体系统的能效。总体而言，CJPF04N60是一款性能稳定、可靠性高、适用范围广的功率MOSFET器件，广泛用于各种电源管理和功率控制场景。
CJPF04N60 MOSFET广泛应用于多种电源和功率控制领域。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED驱动电源、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统等。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，CJPF04N60特别适合于需要中高压功率开关的场合，如家用电器电源模块、工业电源模块、新能源汽车充电模块、通信设备电源等。此外，在需要高效能、小体积设计的电源系统中，CJPF04N60的多种封装形式也提供了良好的灵活性和适配性。
FQP4N60C, 2SK2143, STP4NK60Z, IRF740
