类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：95A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

DH50205-06T1 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下导通损耗显著降低，从而提高整体效率。该器件的漏源电压额定值为 60V，适用于多种中低压电源应用。
　　该 MOSFET 的连续漏极电流额定值为 95A，在适当的散热条件下能够支持高功率密度设计。其栅源电压范围为 ±20V，具有良好的栅极驱动兼容性，适用于常见的驱动电路。
　　此外，DH50205-06T1 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。其工作温度范围为 -55℃ 至 150℃，适合在较宽的环境温度范围内使用。
　　该器件还具备良好的短路和过载保护能力，在设计中可通过外部电路进行保护。其高可靠性和耐用性使其成为工业级和汽车电子应用中的理想选择。

DH50205-06T1 主要用于各种电源管理和功率控制应用。其高电流能力和低导通电阻使其非常适合用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，提供高效能的电压转换功能。此外，它还可用于电机驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停和转速。
　　由于其封装形式适用于表面贴装技术，因此在现代电子设备中广泛用于负载开关、电源管理模块以及电池管理系统（BMS）中，特别是在高功率便携式设备和电动汽车（EV）系统中。
　　该 MOSFET 还可用于逆变器、UPS（不间断电源）系统、LED 照明驱动电路以及各类工业自动化控制系统中的功率控制环节。

Si4410BDY-T1-GE3, IRF1010EZSPBF, FDP6670, NVTFS5C471NL