类型：碳化硅MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　最大漏极电流（ID）：70A
　　导通电阻（RDS(on)）：70mΩ
　　栅极电荷（Qg）：140nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247

CRSM070N12N 的碳化硅技术带来了显著的性能优势，包括更低的导通损耗和开关损耗，使得该器件适用于高频率开关应用。其70mΩ的低导通电阻有助于降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备出色的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，从而减少对复杂散热系统的需求。
　　在封装方面，CRSM070N12N采用标准的TO-247封装，方便集成到现有电路设计中，并提供良好的电气和机械稳定性。其栅极驱动电压范围为-10V至+20V，确保了与标准MOSFET和IGBT驱动器的兼容性。
　　从可靠性角度看，CRSM070N12N 设计用于长期运行，具备优异的短路耐受能力和抗雪崩能力，能够在严苛的工况下保持稳定性能。

CRSM070N12N 广泛应用于需要高效能功率转换的场合，包括但不限于：电动汽车充电器、工业逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制和高功率DC-DC转换器。由于其快速开关特性和低损耗，该器件在高频开关电路中表现尤为出色，有助于缩小电感器和变压器的尺寸，提升整体系统功率密度。
　　在电动汽车领域，CRSM070N12N 可用于车载充电器（OBC）和DC-DC变换器模块，支持更高效率的能源转换，提高车辆续航能力。在工业和可再生能源系统中，该器件可用于提高逆变器和转换器的效率，减少能量损耗，同时降低冷却系统的复杂性。

C2M0070120D, SCT3070N, CRSM080N12N