时间：2025/9/1 8:27:15
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IS61WV102416BLL-10TI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用异步设计，适用于需要快速存取和可靠性的嵌入式系统和工业应用。该型号的存储容量为1Mb（1024K x 16位），采用低功耗CMOS技术，提供高性能和节能特性。
容量：1Mb (1024K x 16)
组织结构：x16
电源电压：2.3V - 3.6V
最大访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54引脚 TSOP
工艺技术：CMOS
功耗：典型电流约100mA（待机模式下低至10mA）
IS61WV102416BLL-10TI具备高速存取能力，最大访问时间仅为10纳秒，适合高速缓存和实时系统应用。
其CMOS制造工艺不仅提供了低功耗运行的优势，还在待机模式下显著降低了功耗，有助于延长设备电池寿命或减少系统热耗。
该芯片支持全地址解码和异步操作，使得在多种嵌入式系统中易于集成和使用。
其54引脚TSOP封装设计提供了良好的散热性能和空间节省，适合高密度PCB布局。
此外，该SRAM具有宽温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业级环境，确保在恶劣条件下稳定运行。
IS61WV102416BLL-10TI广泛应用于网络设备、工业控制系统、通信模块、数据采集设备以及需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统。
其高速特性和低功耗设计使其成为便携式设备、智能仪表、自动化控制系统和高端消费电子产品中的理想选择。
由于其宽温范围和高可靠性，也常用于航空航天、汽车电子和医疗设备等关键领域。
同时，该芯片也适用于FPGA或微处理器的外部高速缓存扩展，以提升系统处理性能。
CY62148EVLL-45ZXC, IDT71V128SA10PFGI, IS64WV102416BLL-10TLI
