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NTA4001NT1G 发布时间 时间：2023/4/13 10:37:41 查看 阅读：549

小信号N沟道20 V, 238 mA  MOSFET 带ESD保护

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：20(min)

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：1500

最大漏极电流Id(on)(A)：0.238

通道极性：N沟道

封装/温度(℃)：SC-75 /-55 ~150

描述：小信号N沟道20 V, 238 mA  MOSFET 带ESD保护


资料

厂商
ON Semiconductor

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NTA4001NT1G产品

NTA4001NT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C238mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 10mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds20pF @ 5V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75，SOT-416
  • 供应商设备封装SC-75，SOT-416
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTA4001NT1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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