H27U1G8F2BFR-BI 是一款由Hynix(现代半导体)生产的NAND闪存芯片。该芯片属于高密度、非易失性存储器,广泛用于需要大容量数据存储的应用场景,例如固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器、嵌入式存储系统等。这款NAND闪存芯片采用8GB的存储容量设计,并支持高性能的数据读写操作。
存储容量:8GB
电压范围:2.7V - 3.6V
接口类型:ONFI 1.0兼容
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:TSOP
数据传输速率:50MB/s(最大)
页大小:2KB
块大小:128KB
ECC要求:需要
H27U1G8F2BFR-BI 芯片采用先进的NAND闪存技术,提供了可靠的非易失性存储解决方案,特别适合对数据存储容量和性能要求较高的应用场景。
首先,这款芯片的存储容量为8GB,可以满足许多嵌入式系统和便携式设备对存储空间的需求。其ONFI 1.0兼容接口设计使得与其他系统组件的集成更加方便,并确保了数据传输的高效性。
该芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V,这使其在多种电源条件下都能保持稳定运行,适用于移动设备和嵌入式系统的低功耗需求。同时,其TSOP封装形式提供了良好的电气性能和机械稳定性,适合在复杂环境中使用。
H27U1G8F2BFR-BI 支持高达50MB/s的数据传输速率,能够满足对读写速度有一定要求的应用。其页大小为2KB,块大小为128KB,这种设计有助于优化存储管理效率,并减少擦写操作对存储寿命的影响。此外,该芯片需要外部ECC(错误校正码)支持,以保证数据的完整性和可靠性,这对延长NAND闪存的使用寿命至关重要。
其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种工业环境中使用,包括高温或低温条件下的设备应用。
H27U1G8F2BFR-BI NAND闪存芯片被广泛应用于多个领域,包括但不限于嵌入式系统、工业控制设备、消费类电子产品和数据存储设备。
在嵌入式系统中,该芯片常用于存储操作系统、固件代码和用户数据,例如在智能家电、汽车电子模块和工业自动化设备中。由于其高稳定性和宽工作温度范围,它也非常适合在恶劣环境中运行的工业设备。
在消费电子产品方面,H27U1G8F2BFR-BI 常用于USB闪存盘、便携式媒体播放器、数码相机和智能电视等设备中,提供可靠的大容量数据存储支持。其ONFI兼容接口使得与主控芯片的连接更加简便,同时支持高速数据传输,提高了用户体验。
此外,该芯片也常用于固态硬盘(SSD)和其他类型的存储扩展模块中,作为主存储介质的一部分。在这些应用中,它的高性能和长寿命特性得到了充分发挥。
H27U1G8F2BFR-BCB, H27U1G8F2BTR-BCB, H27U1G8F2CTR-BCB