时间：2025/4/29 17:14:48
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IHW30N160R5是一款基于MOSFET技术的高压功率晶体管，适用于高效率电源转换和电机驱动应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而在高频开关条件下表现出优异的性能。
该产品属于Infineon（英飞凌）Hybrid IGBT系列，融合了MOSFET与IGBT的优点，能够提供更高的电流密度和更优的热管理特性。其典型应用场景包括工业逆变器、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变器等。
最大漏源电压：1600V
最大连续漏极电流：30A
导通电阻：1.5Ω
栅极电荷：150nC
开关频率：高达100kHz
工作温度范围：-40℃ to +150℃
IHW30N160R5具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保在大电流条件下减少功率损耗。
2. 高压耐受能力使其适用于各种恶劣环境下的电力电子系统。
3. 快速开关速度有助于降低开关损耗，并提升整体效率。
4. 内置反并联二极管，进一步优化续流功能，减少外部元件需求。
5. 热稳定性强，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能表现。
6. 具备良好的短路耐受能力，提升了系统的可靠性和安全性。
这款芯片广泛应用于多个领域：
1. 工业设备中的变频器和伺服驱动器。
2. 太阳能逆变器以实现高效的光伏能量转换。
3. 不间断电源(UPS)系统中的功率转换模块。
4. 电动汽车(EV)充电站及车载充电器。
5. 高压直流输电(HVDC)相关的电力传输设备。
6. 各类需要高压大电流处理的定制化电源解决方案。
IHW30N120R2, IRGB30B120D1, C2M0075120D
