时间：2025/8/21 18:59:17
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NT90RH1ASDC18VSF0.9 是一款由Nanya（南亚科技）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其90纳米制程工艺系列。该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，具有较高的集成度和较低的功耗，适用于需要高速数据访问的电子设备。NT90RH1ASDC18VSF0.9 的主要功能是为系统提供临时数据存储，广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及嵌入式系统等领域。
容量：128Mb
组织结构：16M x 8 / 8M x 16
电压：1.8V
封装类型：FBGA
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
访问时间：< 5.4ns
最大时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
NT90RH1ASDC18VSF0.9 采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗、高性能的特点，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，能够在不访问数据时自动保持数据完整性，从而降低功耗。此外，它还具备突发模式（Burst Mode）操作能力，可以提高数据传输效率。
这款DRAM芯片还具有良好的兼容性，支持多种控制器接口标准，便于集成到不同的系统架构中。其FBGA封装设计不仅节省空间，而且有助于提高散热性能，增强芯片的长期可靠性。在数据完整性方面，NT90RH1ASDC18VSF0.9 提供了错误检测和纠正机制，适用于对数据稳定性要求较高的应用场景。
NT90RH1ASDC18VSF0.9 主要应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备，例如嵌入式系统、工业控制面板、网络路由器、打印机、视频监控设备以及便携式消费电子产品等。在嵌入式系统中，它可以作为主存储器或缓存，提升系统响应速度和运行效率。在工业自动化和通信设备中，该芯片能够提供稳定的数据存储支持，确保设备在复杂环境下的可靠运行。此外，由于其支持低功耗模式，因此也适用于需要延长电池寿命的便携式设备。
MT48LC16M1A2B4-6A, K4S561632K-FGC50
