时间：2025/7/4 4:20:57
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IPD50N04S410ATMA1 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，适用于高效能开关应用。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于需要高效率和高可靠性的场合。
这款 MOSFET 通常被应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等场景，其优化的性能使其在各类工业及消费类电子产品中表现出色。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：4.2mΩ
栅极电荷：95nC
开关时间：典型值 t_on=36ns, t_off=18ns
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
IPD50N04S410ATMA1 的主要特点是低导通电阻和高效率的开关性能。它采用了先进的沟槽技术以降低导通损耗，并通过优化的封装设计提升了散热性能。
此外，该器件还具备以下优势：
1. 高效开关能力，可显著减少开关损耗。
2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
3. 优秀的热稳定性和可靠性，可在较宽的温度范围内正常工作。
4. 快速开关速度，适合高频应用环境。
这些特性使得 IPD50N04S410ATMA1 成为多种功率转换应用的理想选择。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
4. 电动工具和其他便携式设备的电池管理系统。
5. 电动汽车中的牵引逆变器以及车载充电器。
由于其出色的性能表现，IPD50N04S410ATMA1 在需要高性能功率开关的应用中得到了广泛应用。
IPW50N04S410ATMA1
IRLB8748PBF
IXTH50N04L
FDP50N04
