您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IPD50N04S410ATMA1

IPD50N04S410ATMA1 发布时间 时间:2025/7/4 4:20:57 查看 阅读:14

IPD50N04S410ATMA1 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的制造工艺设计,适用于高效能开关应用。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于需要高效率和高可靠性的场合。
  这款 MOSFET 通常被应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等场景,其优化的性能使其在各类工业及消费类电子产品中表现出色。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:4.2mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关时间:典型值 t_on=36ns, t_off=18ns
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃

特性

IPD50N04S410ATMA1 的主要特点是低导通电阻和高效率的开关性能。它采用了先进的沟槽技术以降低导通损耗,并通过优化的封装设计提升了散热性能。
  此外,该器件还具备以下优势:
  1. 高效开关能力,可显著减少开关损耗。
  2. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗。
  3. 优秀的热稳定性和可靠性,可在较宽的温度范围内正常工作。
  4. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  这些特性使得 IPD50N04S410ATMA1 成为多种功率转换应用的理想选择。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和控制电路。
  3. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
  4. 电动工具和其他便携式设备的电池管理系统。
  5. 电动汽车中的牵引逆变器以及车载充电器。
  由于其出色的性能表现,IPD50N04S410ATMA1 在需要高性能功率开关的应用中得到了广泛应用。

替代型号

IPW50N04S410ATMA1
  IRLB8748PBF
  IXTH50N04L
  FDP50N04

IPD50N04S410ATMA1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IPD50N04S410ATMA1参数

  • 现有数量5,000现货
  • 价格1 : ¥9.14000剪切带(CT)2,500 : ¥3.86505卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.3 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 15μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)18.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1430 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)41W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-313
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63