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1210N222J500CT 发布时间 时间:2025/6/4 20:31:45 查看 阅读:5

1210N222J500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率场效应晶体管 (eMode GaN HEMT),适用于高频、高效和高功率密度的应用场景。该器件采用先进的横向结构设计,具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性,非常适合用于电源转换、无线充电、D类音频放大器以及其他需要高性能的电子电路中。
  该型号中的具体参数可以从名称中部分解析:1210代表封装尺寸(12mil x 10mil),N表示N沟道器件,222表示最大漏源导通电阻值(约22mΩ),J表示特定的性能等级,500表示额定电流为5A,CT是卷带包装形式。

参数

最大漏源电压:600V
  最大连续漏极电流:5A
  导通电阻(Rds(on)):22mΩ
  栅极电荷:35nC
  输入电容:940pF
  输出电容:48pF
  反向传输电容:25pF
  典型开关频率:超过5MHz
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(22mΩ),可有效降低传导损耗。
  2. 支持高达600V的漏源电压,提供出色的耐压能力。
  3. 快速开关性能,支持超过5MHz的开关频率,非常适合高频应用。
  4. 小型化封装(12mil x 10mil),有助于减少PCB空间占用。
  5. 工作温度范围宽广,适应各种严苛的工作环境。
  6. 高效率和高功率密度表现,特别适合在紧凑型设计中使用。
  7. 具备优秀的热稳定性和可靠性,能够长时间稳定运行。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 无线充电模块
  4. 电机驱动电路
  5. D类音频放大器
  6. 能量回收系统
  7. 太阳能微型逆变器
  8. LED照明驱动器
  9. 汽车电子设备
  10. 工业自动化控制

替代型号

1210N220J500CT, 1210N221K500CT, 1210N223J500CT

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1210N222J500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥0.73131卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2200 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.041"(1.05mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-