时间：2025/6/4 20:31:45
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1210N222J500CT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率场效应晶体管 (eMode GaN HEMT)，适用于高频、高效和高功率密度的应用场景。该器件采用先进的横向结构设计，具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性，非常适合用于电源转换、无线充电、D类音频放大器以及其他需要高性能的电子电路中。
该型号中的具体参数可以从名称中部分解析：1210代表封装尺寸（12mil x 10mil），N表示N沟道器件，222表示最大漏源导通电阻值（约22mΩ），J表示特定的性能等级，500表示额定电流为5A，CT是卷带包装形式。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：5A
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：940pF
输出电容：48pF
反向传输电容：25pF
典型开关频率：超过5MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（22mΩ），可有效降低传导损耗。
2. 支持高达600V的漏源电压，提供出色的耐压能力。
3. 快速开关性能，支持超过5MHz的开关频率，非常适合高频应用。
4. 小型化封装（12mil x 10mil），有助于减少PCB空间占用。
5. 工作温度范围宽广，适应各种严苛的工作环境。
6. 高效率和高功率密度表现，特别适合在紧凑型设计中使用。
7. 具备优秀的热稳定性和可靠性，能够长时间稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电模块
4. 电机驱动电路
5. D类音频放大器
6. 能量回收系统
7. 太阳能微型逆变器
8. LED照明驱动器
9. 汽车电子设备
10. 工业自动化控制
1210N220J500CT, 1210N221K500CT, 1210N223J500CT
