时间：2025/9/20 14:31:48
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2SK776是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效率和高可靠性的功率管理场合。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具备低导通电阻、快速开关速度以及优良的热稳定性等优点。2SK776通常封装在TO-220或类似的大功率塑封封装中，能够承受较高的漏源电压，并提供良好的散热性能，适用于工业控制、消费电子及通信设备中的各种电源系统。
这款MOSFET的设计注重在高频率工作条件下的性能表现，能够在较小的驱动电流下实现高效的功率切换。其内部结构优化了电场分布，提高了器件的击穿电压耐受能力，从而增强了整体的可靠性。此外，2SK776还具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升系统的整体能效。由于其出色的电气特性和稳定的制造工艺，2SK776被许多电源设计工程师选为关键元器件之一。
型号：2SK776
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500 V
最大栅源电压（Vgs）：±30 V
最大连续漏极电流（Id）：1.5 A
最大脉冲漏极电流（Idm）：6 A
最大功耗（Pd）：50 W
导通电阻（Rds(on)）：≤ 3.5 Ω（典型值）
开启阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
输入电容（Ciss）：550 pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：100 pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：未集成体二极管或典型值约30 ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
2SK776的核心特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达500V，使其适用于高压环境下的开关操作，例如在离线式开关电源中作为主开关管使用。这一高耐压特性得益于其优化的漂移区设计和高质量的硅材料工艺，能够在承受瞬态过压时保持稳定工作，避免因电压击穿导致的器件损坏。同时，该器件具备良好的温度稳定性，在高温环境下仍能维持可靠的电气性能，适合在恶劣工业环境中长期运行。
另一个显著特点是其相对较低的导通电阻（Rds(on)），典型值不超过3.5Ω。这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率，尤其在持续负载条件下效果明显。虽然与现代超结MOSFET相比，该值略高，但在同级别产品中仍具有竞争力。此外，2SK776的栅极电荷量适中，输入电容仅为550pF，使得它在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗，有利于简化驱动电路设计并提升系统响应速度。
该器件还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在短时过载或反激电压冲击下保持功能完整。其封装采用标准TO-220形式，便于安装在散热片上，有效传导热量，防止热积累导致的性能下降或失效。此外，2SK776符合多项国际安全与环保标准，包括RoHS指令要求，适用于绿色电子产品设计。综合来看，2SK776是一款兼顾性能、可靠性与成本效益的中功率MOSFET，适合多种中高压应用场景。
2SK776广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，如AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源以及小型逆变器等。在这些应用中，它通常作为初级侧的开关元件，负责将整流后的直流高压进行高频斩波，以实现高效的能量传递。由于其500V的耐压能力，可直接用于全球通用输入电压范围（85V~265V AC）的电源设计，无需额外的电压裕量补偿措施。
此外，该器件也常用于DC-DC转换器拓扑结构中，例如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）电路中，承担能量传输和电压调节的关键任务。在电机控制领域，2SK776可用于小功率直流电机或步进电机的驱动模块中，特别是在需要隔离控制和高效能耗管理的场合。
工业自动化设备中的继电器驱动、电磁阀控制和传感器供电模块也是其典型应用之一。由于其良好的热稳定性和抗干扰能力，2SK776能在复杂电磁环境中稳定运行。另外，在照明控制系统、UPS不间断电源以及家用电器（如微波炉、洗衣机）的电源模块中也有广泛应用。总之，凡是需要中等电流、高电压、高效率开关控制的场景，2SK776都是一个值得考虑的选择。
2SK777,2SK1058,2SK1392,2SK2036
