类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：55 V
　　最大连续漏极电流（Id）：140 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：520 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)（典型值）：2.8 mΩ @ Vgs = 10 V
　　导通电阻Rds(on)（最大值）：3.3 mΩ @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vth）：2.1 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：7000 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：49 ns
　　功耗（Pd）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：D2Pak（TO-263）

IRFB3306G采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其典型的2.8 mΩ低导通电阻使得在大电流应用中温升更小，有助于提升系统的热稳定性与长期可靠性。该器件具备优异的开关性能，输入电容和输出电容经过优化，能够有效降低开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源设计，如同步降压变换器和半桥拓扑。其栅极电荷（Qg）较低，意味着驱动电路所需的驱动功率较小，可配合低成本的驱动IC使用，进一步降低系统总成本。
　　该MOSFET的D2Pak封装具有出色的散热性能，底部大面积铜焊盘可直接连接至PCB的散热层，实现高效热传导，延长器件寿命。同时，该封装支持自动化贴片工艺，适合大规模生产，提升了制造效率与一致性。器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，增强了系统鲁棒性。此外，IRFB3306G的栅源电压容限达到±20V，提供了更高的驱动兼容性和设计灵活性，避免因驱动电压波动导致器件损坏。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的工业级认证，可在-55°C至+175°C的结温范围内稳定工作，适用于严苛环境下的工业控制、电动工具、UPS不间断电源和太阳能逆变器等应用。其内部结构设计减少了寄生参数的影响，提升了高频响应能力，同时具备较低的反向恢复电荷（Qrr），有助于减少体二极管反向恢复带来的开关损耗和电磁干扰（EMI）。这些特性共同使IRFB3306G成为高性能电源系统中不可或缺的关键元件。

IRFB3306G广泛应用于需要高效率和高电流处理能力的电力电子系统中。常见用途包括直流-直流（DC-DC）降压和升压转换器，特别是在服务器电源、通信设备电源模块和笔记本电脑适配器中作为主开关或同步整流器使用。在电机驱动领域，该器件可用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的H桥驱动电路，提供快速开关响应和低导通损耗，提高驱动效率并减少发热。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、电动车辆的辅助电源、便携式电源设备和电动工具中的功率开关模块。
　　在工业电源系统中，IRFB3306G常用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和逆变器设计，尤其是在中等功率等级（100W至1kW）的应用中表现优异。其高电流承载能力和良好热性能使其适合用于多相VRM（电压调节模块）设计，为高性能CPU和GPU提供稳定的供电。在太阳能微逆变器和储能系统中，该MOSFET可用于MPPT（最大功率点跟踪）电路和能量回馈路径，提升能源转换效率。
　　由于其表面贴装封装形式，IRFB3306G特别适合现代高密度PCB布局，广泛用于追求小型化和轻量化的电子产品。同时，其可靠的电气特性和耐久性也使其在汽车电子辅助系统（如车载充电器、DC-DC转换器）中得到应用，满足AEC-Q101部分要求的设计场景。总体而言，IRFB3306G凭借其高性能参数和稳健设计，已成为多种中高功率开关应用中的主流选择。

IRFB3306PBF, IRFB3306TRPBF, FDPB3306N, CSD17313Q5