类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：35A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为 0.15Ω
　　栅极电荷（Qg）：约 75nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

FMV35N60S1FD功率MOSFET具备多项优异的电气特性。首先，其高耐压能力达到600V，使其适用于中高功率的电源系统。其次，最大漏极电流为35A，这确保了其在大电流应用中的稳定性和可靠性。导通电阻低至0.15Ω，减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件的栅极电荷较低，约为75nC，这意味着其开关速度快，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关电路。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用。在温度适应性方面，FMV35N60S1FD能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适合各种严苛的工业环境。最后，该器件内置了一个快速恢复二极管（FRD），进一步提高了在反向电动势环境中的可靠性，例如在电机驱动或感性负载切换应用中。这些特性共同使得FMV35N60S1FD成为一款高性能的功率MOSFET解决方案。

该器件广泛应用于多种电力电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，FMV35N60S1FD可以作为主开关元件，用于高效地转换和调节电压。在电机驱动系统中，它被用于控制直流或交流电机的速度和方向，特别是在工业自动化设备中表现优异。此外，该MOSFET还适用于不间断电源（UPS）系统，在电网故障时提供稳定的电力输出。太阳能逆变器也是其典型应用之一，用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并网供电。除此之外，FMV35N60S1FD还可用于电池管理系统、电动汽车充电器以及各种工业控制设备中的功率开关电路。

FGA35N60SMD、FQA35N60、TK35A60W、IXFN34N60P