NT407F 时间：2025/7/26 18:20:54 阅读：10

NT407F 是一款由台湾集成电路（Toshiba）设计和生产的N沟道增强型功率MOSFET。它广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和马达驱动等电路中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，使其在高频率和高效率的功率应用中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：110A
　　导通电阻（RDS(on)）：@VGS=10V时，最大为4.7mΩ；@VGS=4.5V时，最大为6.5mΩ
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

NT407F MOSFET的主要特点包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低传导损耗并提高系统效率。其低导通电阻特性在10V和4.5V栅极驱动条件下均能保持稳定，支持在广泛的栅极驱动电压下实现高性能。
　　此外，NT407F具有较高的电流承载能力，能够支持高达110A的连续漏极电流，适用于高功率密度的应用。其先进的沟槽式结构不仅提高了器件的热稳定性，还增强了开关性能，减少开关损耗。
　　这款MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），这是一种常见的表面贴装封装，便于在PCB上安装和散热设计。TO-252封装具有较好的热管理能力，适合高功率应用的需求。
　　NT407F还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（最高可达20V），允许设计者根据系统需求灵活选择栅极驱动电路，同时保证器件的可靠性和稳定性。
　　最后，NT407F的封装和电气特性使其成为替代传统通孔封装MOSFET的理想选择，适用于现代高效率、小型化电源系统的设计。

应用

NT407F MOSFET适用于多种功率电子应用，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）和电源管理模块。在同步整流应用中，它能够显著提高转换效率，降低能量损耗。
　　在工业自动化和电机控制应用中，NT407F可以用于H桥电机驱动电路或功率开关电路，提供高效率和高可靠性的解决方案。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制、保护电路和负载切换等场景。
　　此外，NT407F还常用于高功率LED驱动、服务器电源、电信设备电源和消费类电子产品中的电源管理部分。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择。