HTA50P3是一款高性能的功率MOSFET晶体管,适用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。同时,HTA50P3具备快速开关速度,可有效降低开关损耗并提升系统效率。
型号:HTA50P3
类型:P沟道 MOSFET
电压(Vds):50V
电流(Id):3A
导通电阻(Rds(on)):200mΩ
栅极电荷(Qg):10nC
功耗(Ptot):2.4W
封装形式:TO-252
工作温度范围:-55℃ to +150℃
HTA50P3具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高整体效率。
2. 快速开关特性,适合高频应用场景,能够显著降低开关损耗。
3. 优秀的热性能设计,保证在高温环境下仍能稳定运行。
4. 高可靠性,通过严格的测试流程确保产品性能一致性。
5. 小型化封装设计,便于在紧凑空间内进行电路布局。
HTA50P3广泛应用于以下领域:
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 汽车电子中的电源管理模块。
6. 可携式设备中的电池管理方案。
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