时间：2025/9/14 2:48:48
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BUK7M5R0-40HX是一款由NXP Semiconductors制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高可靠性应用而设计。这款MOSFET采用先进的技术，能够在高电压和高电流条件下稳定工作，广泛应用于工业设备、电源管理和汽车电子系统中。
类型：MOSFET
封装类型：TO-220AB
漏极电流（Id）：160A
漏极-源极击穿电压（Vds）：40V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
BUK7M5R0-40HX的主要特性包括极低的导通电阻，这使其在高电流条件下能够减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有高耐用性和热稳定性，能够在恶劣的环境条件下长期运行。其高栅极-源极电压容限确保了在各种控制信号下的稳定工作。该MOSFET的封装设计优化了散热性能，适用于高功率密度的应用场景。
该器件的制造工艺确保了其在高频开关应用中的卓越性能，减少了开关损耗并提高了系统的整体效率。此外，其可靠的设计使得在极端温度和电压波动的情况下依然能够保持稳定的性能。
BUK7M5R0-40HX广泛应用于多个领域，包括但不限于工业电源、电机控制、电池管理系统、太阳能逆变器以及汽车电子系统。在汽车应用中，该器件常用于车载充电系统和电动车辆的功率管理系统。此外，该MOSFET还适用于需要高效能和高可靠性的高功率开关电源和直流-直流转换器。
BUK7K1R7-40H、BUK7K1R7-40E、BUK7M5R0-40E
