NSVS658 时间：2025/7/23 8:24:28 阅读：6

NSVS658 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道、高速、低功耗的 MOSFET 阵列，广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动和电池供电设备中。该器件由两个 N 沟道增强型 MOSFET 组成，采用小型化的 8 引脚表面贴装封装（SOP 或 SOIC），适用于高密度 PCB 设计。NSVS658 在设计上优化了导通电阻和开关速度，适合用于需要高效能和低功耗的便携式电子产品。

参数

配置：双 N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）：每通道 2.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：每通道 0.16Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：8 引脚 SOP/ SOIC

特性

NSVS658 的核心特性之一是其双通道 N 沟道 MOSFET 架构，能够在单个芯片上实现两个独立的功率开关控制。这种设计不仅节省了 PCB 空间，还简化了电路布局。其导通电阻较低（典型值 0.16Ω），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件支持高达 60V 的漏源电压，适用于多种中压功率应用，如 DC-DC 转换器、电源分配系统和负载开关控制。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，允许使用标准的逻辑电平（例如 5V 或 3.3V）进行驱动，从而简化了与数字控制器的接口设计。NSVS658 还具有良好的热稳定性，能够在高电流条件下保持稳定运行，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。
　　其封装形式为 8 引脚 SOP 或 SOIC，具备良好的散热性能和机械强度，适合自动化装配和 SMT 工艺。此外，该器件的低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备，有助于延长设备的工作时间。

应用

NSVS658 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的负载开关控制、DC-DC 转换器、电机驱动电路、LED 驱动电路、电池充电管理电路、便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的功率开关、工业自动化设备中的电机控制模块等。由于其高效率和小尺寸封装，NSVS658 是设计紧凑型高效率电源系统的理想选择。