时间：2025/8/17 0:34:34
阅读：5
CJU100N03 是一款由CJ（Chipmos Technologies）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点，适用于各种高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约2.3mΩ（典型值）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）或类似表面贴装封装
CJU100N03 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件在高温环境下具有良好的稳定性，能够在高电流和高功率条件下可靠运行。
另一个关键特性是其高电流承载能力，能够支持高达100A的连续漏极电流，使其适用于高功率密度设计。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，适应多种控制电路的需求。
此外，CJU100N03采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。这种封装形式也有助于减小PCB尺寸，提高整体系统的紧凑性和可靠性。
该MOSFET还具备良好的短路和过热保护能力，在系统设计中可提供更高的安全裕度。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高电源转换效率，适用于诸如同步整流、负载开关、电机控制等高频应用。
CJU100N03 常用于各种功率电子设备中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电池充电器和负载开关控制电路。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于高效率电源转换系统，例如服务器电源、通信设备电源、工业控制电源和汽车电子系统中的功率管理模块。
在服务器和通信设备中，CJU100N03可用于VRM（电压调节模块）和POL（负载点）电源，提供稳定的输出电压并提高能效。在汽车电子中，它可用于电池管理系统、车载充电器以及电机控制电路。此外，该器件也广泛应用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统和工业自动化设备中，作为高效率的功率开关元件。
SiR100N03, IRF1010E, FDP100N03, IPD100N03S
