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NSV60600MZ4T3G 发布时间 时间:2025/8/2 8:11:44 查看 阅读:28

NSV60600MZ4T3G 是由 ON Semiconductor 生产的一款双极型晶体管(BJT),专为高电压和高电流应用设计。这款晶体管具有高耐用性和可靠性,适合用于工业和汽车电子系统中的电源管理和开关应用。NSV60600MZ4T3G 采用 TO-263 封装,适用于表面贴装技术,提供了良好的散热性能。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):6A
  最大集电极-发射极电压(Vce):60V
  最大集电极-基极电压(Vcb):100V
  最大功耗:2W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-263

特性

NSV60600MZ4T3G 拥有较高的电流增益(hFE),确保了良好的放大性能。该晶体管设计用于高电流负载应用,能够承受较高的工作电压,同时具有良好的热稳定性和低饱和电压特性。此外,其坚固的结构和可靠的性能使其适用于恶劣的工作环境。
  该晶体管的高耐用性使其在工业和汽车应用中表现出色。其高电流容量和低导通压降(Vce_sat)特性使其在开关应用中具有较高的效率。此外,NSV60600MZ4T3G 还具有较好的短路和过热保护能力,提高了整体系统的可靠性。
  由于其封装设计,NSV60600MZ4T3G 具有良好的散热性能,能够在高功率应用中保持较低的温度上升。这种特性使其非常适合用于需要长时间运行的电源系统和电机控制电路。

应用

NSV60600MZ4T3G 常用于工业自动化设备中的电机驱动和继电器控制、电源管理模块、汽车电子系统中的照明控制和电动机控制,以及各种需要高电压和高电流处理能力的电子设备中。此外,它还可以用于电池管理系统和直流-直流转换器等应用。

替代型号

TIP122, BDW93C, TIP142

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NSV60600MZ4T3G参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)350mV @ 600mA,6A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大800mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)