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SI4886DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/30 14:16:17 查看 阅读:4

SI4886DY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs(硅实验室)推出的高性能、低功耗的 AM/FM 收音机接收芯片。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,集成了完整的 AM 和 FM 接收功能,支持全球范围内的广播频段。其高集成度和小尺寸设计使得 SI4886DY-T1-GE3 成为便携式音频设备的理想选择。
  该芯片支持 I2C 和 SPI 接口,便于与微控制器通信,并提供多种数字音频输出格式。此外,它还具有卓越的抗干扰能力和灵敏度,确保在各种环境下都能实现高质量的音频接收。

参数

工作电压:2.7V 至 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  频率范围:AM:520kHz 至 1710kHz,FM:76MHz 至 108MHz
  灵敏度:AM - 调谐模式:20uV,FM - 调谐模式:2.5uV
  信噪比:AM:38dB,FM:65dB
  音频输出功率:10mW(典型值,32欧姆负载)
  封装形式:QFN-24 (4mm x 4mm)
  接口类型:I2C,SPI

特性

高集成度设计,内置完整的 AM 和 FM 接收前端。
  支持多种全球广播频段,适应不同地区的使用需求。
  提供多种数字音频输出格式,如 I2S、PCM 等。
  内置自动增益控制 (AGC) 和静音电路,优化音频质量。
  低功耗设计,延长电池续航时间。
  具备出色的抗干扰能力,减少外界信号对音频的影响。
  支持 RDS/RBDS 解码(需额外配置)。
  小型化的 QFN 封装,节省 PCB 面积。

应用

便携式收音机
  车载音响系统
  智能家居设备
  可穿戴设备
  蓝牙音箱
  手机和其他消费类电子产品
  工业用无线音频接收模块

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SI4886DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)800mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)