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NSG44272 发布时间 时间:2025/7/4 7:16:01 查看 阅读:14

NSG44272 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力,广泛应用于功率转换、电机驱动和负载切换等场景。NSG44272 采用 TO-252 封装形式,适合表面贴装工艺,同时具备良好的热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:11nC
  总电容:1350pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

NSG44272 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,提高了系统的可靠性和鲁棒性。
  4. 紧凑的封装设计,简化了 PCB 布局。
  5. 广泛的工作温度范围,支持极端环境下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

NSG44272 的典型应用场景包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 电机控制和驱动电路。
  5. LED 驱动器和其他需要高效功率管理的场合。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06
  FDP5500
  IXYS LF130N06L