您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CDR31BP131BKZRAT

CDR31BP131BKZRAT 发布时间 时间:2025/5/29 18:56:21 查看 阅读:6

CDR31BP131BKZRAT 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的MOSFET功率晶体管,采用TO-263-7封装形式。该器件适用于高效率、高性能的电源管理应用,例如开关电源、电机驱动器和负载切换等场景。
  CDR31BP131BKZRAT的主要特点包括低导通电阻、高电流处理能力和出色的热性能。其设计旨在优化功率转换系统中的能量损耗,并提供更高的可靠性与耐用性。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):150V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):28A
  导通电阻(Rds(on)):4.9mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):170W
  工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263-7

特性

CDR31BP131BKZRAT具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了更低的能量损耗,从而提高了整体效率。
  2. 高额定电流能力使其适合于大功率应用。
  3. 采用TO-263-7封装,具备良好的散热性能,有助于提高系统的热稳定性。
  4. 较宽的工作温度范围使它能够在恶劣环境条件下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
  6. 内置反向二极管功能,可减少外部元件数量并简化电路设计。

应用

CDR31BP131BKZRAT广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 直流/直流(DC-DC)转换器和降压/升压调节器。
  3. 电机控制和驱动电路。
  4. 各类工业设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  6. 电信和服务器电源模块。
  7. 汽车电子中的启动/停止系统及其它相关应用。

替代型号

CDR31BP130BZ, IRF3205, AO3400A

CDR31BP131BKZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容130 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-