时间：2025/5/29 18:56:21
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CDR31BP131BKZRAT 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的MOSFET功率晶体管，采用TO-263-7封装形式。该器件适用于高效率、高性能的电源管理应用，例如开关电源、电机驱动器和负载切换等场景。
CDR31BP131BKZRAT的主要特点包括低导通电阻、高电流处理能力和出色的热性能。其设计旨在优化功率转换系统中的能量损耗，并提供更高的可靠性与耐用性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：4.9mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：170W
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-7
CDR31BP131BKZRAT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了更低的能量损耗，从而提高了整体效率。
2. 高额定电流能力使其适合于大功率应用。
3. 采用TO-263-7封装，具备良好的散热性能，有助于提高系统的热稳定性。
4. 较宽的工作温度范围使它能够在恶劣环境条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
6. 内置反向二极管功能，可减少外部元件数量并简化电路设计。
CDR31BP131BKZRAT广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 直流/直流(DC-DC)转换器和降压/升压调节器。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 各类工业设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 电信和服务器电源模块。
7. 汽车电子中的启动/停止系统及其它相关应用。
CDR31BP130BZ, IRF3205, AO3400A
