CDR31BP131BKZRAT 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的MOSFET功率晶体管,采用TO-263-7封装形式。该器件适用于高效率、高性能的电源管理应用,例如开关电源、电机驱动器和负载切换等场景。
CDR31BP131BKZRAT的主要特点包括低导通电阻、高电流处理能力和出色的热性能。其设计旨在优化功率转换系统中的能量损耗,并提供更高的可靠性与耐用性。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):150V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):28A
导通电阻(Rds(on)):4.9mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):170W
工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263-7
CDR31BP131BKZRAT具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了更低的能量损耗,从而提高了整体效率。
2. 高额定电流能力使其适合于大功率应用。
3. 采用TO-263-7封装,具备良好的散热性能,有助于提高系统的热稳定性。
4. 较宽的工作温度范围使它能够在恶劣环境条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
6. 内置反向二极管功能,可减少外部元件数量并简化电路设计。
CDR31BP131BKZRAT广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 直流/直流(DC-DC)转换器和降压/升压调节器。
3. 电机控制和驱动电路。
4. 各类工业设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
6. 电信和服务器电源模块。
7. 汽车电子中的启动/停止系统及其它相关应用。
CDR31BP130BZ, IRF3205, AO3400A