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NSV20201LT1G 发布时间 时间:2025/5/12 12:34:56 查看 阅读:4

NSV20201LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的肖特基二极管,采用 SOD-123 封装形式。该器件具有低正向电压降和快速恢复时间的特点,适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及各种便携式电子设备中。由于其出色的性能,NSV20201LT1G 在高效能应用领域中被广泛采用。

参数

最大反向电压:20V
  最大正向电流:1A
  典型正向电压:0.35V(@1A)
  最大反向恢复时间:40ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOD-123

特性

NSV20201LT1G 的主要特性包括低正向电压降,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,它的快速恢复时间使其非常适合高频应用环境。器件的高可靠性设计能够承受严苛的工作条件,例如极端温度范围内的稳定运行。
  该器件还具备出色的热稳定性,可以确保在高温环境下维持较低的功耗和较高的效能。同时,其紧凑型封装形式使它成为空间受限应用的理想选择。

应用

NSV20201LT1G 广泛应用于各种消费类电子产品和工业设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源中的整流电路。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
  3. 各种保护电路,如防止反向电流保护。
  4. 电池供电设备中的电能管理模块。
  5. 高频逆变器和电机驱动电路。
  6. 数据通信设备中的信号隔离与保护电路。

替代型号

MBR120VLSFT1G
  SS12
  1SS391

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NSV20201LT1G参数

  • 现有数量3,000现货18,000Factory
  • 价格1 : ¥4.13000剪切带(CT)3,000 : ¥1.45115卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)2 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)20 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)100mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值460 mW
  • 频率 - 跃迁150MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)