类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：4.3A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值36mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：1000mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOP（小外形封装）

RLSD92Q361V具有多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统的效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽结构技术，确保了器件在高频开关操作中的稳定性和可靠性。此外，RLSD92Q361V具有较高的电流承载能力，适合在高负载条件下工作，同时具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持性能稳定。
　　另一个重要特性是其封装形式，SOP封装不仅体积小巧，便于安装在高密度PCB布局中，而且具备良好的散热能力，有助于提高器件的长期运行可靠性。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电压，适用于多种电源管理方案。

RLSD92Q361V广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制、LED照明驱动电路以及工业自动化设备。在电源管理领域，该MOSFET可用于高效同步整流器和功率开关，以提升转换效率并减少热量产生。在电池管理系统中，RLSD92Q361V可以作为充放电路径的开关元件，确保电池组的安全运行。此外，在LED照明驱动电路中，该器件能够实现高频率的开关操作，从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统的效率。

Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDN340P