NSS35200MR6T1G
时间:2023/4/13 11:12:16
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概述
制造商:ONSemiconductor
产品种类:双极小信号
RoHS:是
配置:SingleQuadCollector
晶体管极性:PNP
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TSOP-6
集电极—发射极最大电压VCEO:35V
发射极-基极电压VEBO:5V
集电极连续电流:-2A
最大直流电集电极电流:2A
功率耗散:625mW
最大工作频率:100MHz
最大工作温度:+150℃
封装:Reel
最小工作温度:-55℃
StandardPackQty:3000
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NSS35200MR6T1G参数
- 产品培训模块Low Vce(sat) BJT Power Savings
- 标准包装3,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路
- 系列-
- 晶体管类型PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)35V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)310mV @ 20mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大)100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1.5A,1.5V
- 功率 - 最大625mW
- 频率 - 转换100MHz
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SC-74,SOT-457
- 供应商设备封装6-TSOP
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称NSS35200MR6T1G-ND