时间：2025/8/2 8:26:53
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NSS1C200MZ4T1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于多种高功率应用，如电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能系统设计的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：200V
最大漏极电流(ID)：100A（在TC=25°C时）
导通电阻(RDS(on))：最大14.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
最大功耗(PD)：300W
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C至+175°C
NSS1C200MZ4T1G具备优异的导通性能和低开关损耗，能够显著提高电源转换系统的效率。其低RDS(on)特性在高电流应用中减少了功率损耗并降低了发热。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。
该器件采用了先进的PowerTrench?技术，使得在保持低RDS(on)的同时实现了优化的开关性能。其TO-263封装形式提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于表面贴装（SMT）工艺，便于自动化生产。
安全性和可靠性也是该器件的重要特点。NSS1C200MZ4T1G具备过载和短路保护能力，能够承受一定的瞬态过载而不损坏。其高雪崩能量能力（Avalanche Energy Rating）进一步增强了器件在极端条件下的可靠性。
这款MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动汽车中的功率模块。此外，它也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品和服务器电源系统中。
在工业自动化系统中，NSS1C200MZ4T1G可用于驱动高功率负载，如继电器、电磁阀和电机控制器。在汽车应用中，它可以用于车载充电系统、48V轻混动力系统以及电动助力转向系统等关键部件。
SiHF200N10T-GE3, IPP200N10N3GKSA1
