时间：2025/9/16 1:06:24
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ATF-521P8-TR2 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）公司生产的低噪声、高线性度的砷化镓（GaAs）场效应晶体管（FET），属于其ATF-521系列的P型FET。该器件专为射频（RF）和微波应用设计，适用于低噪声放大器（LNA）、混频器和其他高性能射频前端电路。ATF-521P8-TR2 采用8引脚TSSOP封装，便于表面贴装，并具有良好的热稳定性和高可靠性。
频率范围：50 MHz ~ 6 GHz
噪声系数（NF）：0.5 dB（典型值，500 MHz）
增益：18 dB（典型值）
工作电流：40 mA（典型值）
封装类型：8引脚TSSOP
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
ATF-521P8-TR2 是一款高性能射频场效应晶体管，具有出色的低噪声性能和高线性度，适用于广泛的射频和微波系统。其典型噪声系数在500 MHz时仅为0.5 dB，使得该器件非常适合用于低噪声放大器（LNA）的设计，特别是在接收机前端以提高系统的信噪比。此外，该器件的高输出三阶交调截点（IP3）达到32 dBm，表明其在高信号强度环境下仍能保持良好的线性性能，减少互调干扰。
ATF-521P8-TR2 的工作频率范围覆盖50 MHz至6 GHz，适用于多种通信标准，如蜂窝通信（GSM、CDMA、WCDMA、LTE）、Wi-Fi、WiMAX、卫星通信和雷达系统等。该器件在5V电源下工作，典型工作电流为40 mA，功耗较低，适合电池供电或便携式设备应用。
8引脚TSSOP封装不仅节省空间，还提高了高频性能的稳定性，并便于自动化生产和表面贴装工艺。该器件的输入和输出端口具有良好的阻抗匹配特性（通常为50Ω），简化了外围电路的设计。此外，其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种环境条件下的稳定运行。
ATF-521P8-TR2 主要应用于需要高灵敏度和低噪声性能的射频系统，如无线通信基站、接收机前端放大器、测试测量仪器、雷达和卫星通信设备等。此外，该器件也适用于物联网（IoT）设备、软件定义无线电（SDR）系统以及高性能消费类电子产品的射频前端设计。
ATF-541M4-TR2, ATF-55143, ATF-51187
