类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：10A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS = 10V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220
　　功耗（Ptot）：30W

SBT10100VSS MOSFET 具有以下关键特性，使其在多种功率应用中表现出色：
　　首先，其高耐压能力（100V）使其适用于多种高压电路设计，能够在较高的电压下稳定工作而不发生击穿。
　　其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）为0.45Ω，在VGS为10V时提供高效的导通状态，减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，SBT10100VSS采用先进的沟槽栅极结构，优化了开关性能，降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
　　该器件的封装为TO-220，具有良好的散热性能，确保在高电流负载下仍能保持稳定工作温度。
　　另外，其工作温度范围为-55°C至175°C，适应极端环境下的运行需求，提高了器件的可靠性和适用性。
　　最后，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，能够在过载或瞬态条件下提供额外的保护，增强系统的稳定性。

SBT10100VSS MOSFET 适用于多种高电压和高电流应用场景，包括但不限于：
　　在工业电源系统中，作为主开关器件用于DC-DC转换器或AC-DC电源模块，实现高效的能量转换。
　　在电机控制系统中，作为功率开关用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
　　在电池管理系统中，用于电池充放电控制电路，确保电池在安全范围内运行。
　　在照明系统中，特别是LED照明驱动电路，用于调节亮度或实现智能调光功能。
　　此外，该器件也可用于电动工具、电动车控制器、不间断电源（UPS）等应用，提供稳定可靠的功率控制方案。
　　由于其良好的热稳定性和抗冲击能力，SBT10100VSS 还可应用于环境较为恶劣的工业控制和自动化设备中。

IRFZ44N, FDPF10N10L, STP10NK100Z, IPD90N10S3L-03