NSC800D-4M/A+ 是一款高性能、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),具有高速数据访问能力和高可靠性,广泛应用于需要快速数据读写和稳定性能的场景。
该芯片采用了先进的CMOS工艺制造,具备低功耗特性和优秀的电气性能。其组织形式为256K x 16位,总容量为4M比特。此外,该器件支持多种工作模式,适用于工业级和商业级应用环境。
容量:4Mb
组织形式:256K x 16
工作电压(Vcc):1.7V 至 3.6V
访问时间:5ns/10ns
数据保持电压:1.5V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TQFP-48, BGA-48
引脚间距:0.8mm
I/O结构:单轨供电
功耗:待机模式下小于1μW
NSC800D-4M/A+ 提供了卓越的性能和可靠性,主要特性包括:
1. 高速访问能力,支持5ns和10ns两种访问时间选项,满足不同应用场景的需求。
2. 低功耗设计,在待机模式下能够显著降低能耗,非常适合对能效要求较高的系统。
3. 支持宽电压范围(1.7V至3.6V),增加了在不同电源条件下的适应性。
4. 内置自动省电功能,当检测到无活动时会自动进入低功耗模式。
5. 数据保存能力强,即使在低电压条件下也能确保数据完整性。
6. 高抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境下稳定运行。
NSC800D-4M/A+ 芯片因其高性能和可靠性被广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化控制设备,如PLC、DCS等。
2. 网络通信设备,例如路由器、交换机缓存。
3. 医疗电子设备的数据暂存和处理。
4. 汽车电子中的实时数据记录和处理模块。
5. 嵌入式系统的临时数据存储。
6. 游戏设备和多媒体播放器中的快速数据缓冲区。
NCS800D-4MB, AS8C800D-10BM, CY7C1049BV33-10JC