容量：1Mbit
　　组织结构：128K x 8
　　封装类型：54引脚TSOP
　　工作电压：3.3V 或 5V 可选
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　输入/输出电平：兼容TTL和CMOS
　　最大工作频率：100MHz（依据时钟）
　　数据保持电压：1.5V 至 Vcc
　　电流消耗：典型值100mA（工作模式），待机电流小于10mA

W742C8101650 SRAM芯片具备多项先进的性能和设计特点，适用于各种高性能存储需求。其高速访问时间为10ns，允许在100MHz的频率下运行，确保了快速的数据存取。该芯片采用低功耗CMOS技术，在保证高速性能的同时有效降低了功耗，在待机模式下仅消耗极小的电流，适用于对功耗敏感的嵌入式系统。
　　此外，W742C8101650支持3.3V和5V双电压操作，提供了广泛的兼容性，可以适应不同的电源设计需求。其异步SRAM接口简化了电路设计，提高了系统的灵活性。芯片内部结构采用先进的CMOS工艺制造，具有较高的抗干扰能力和稳定性，能够在恶劣的工业环境中可靠运行。
　　在数据保持方面，即使电压下降到1.5V，芯片仍可保持数据不丢失，这对于需要长期数据保持的应用非常关键。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于工业控制、通信设备、汽车电子等复杂环境。

W742C8101650 SRAM芯片广泛应用于需要高速存储和数据缓冲的场景。常见的应用包括工业控制设备、自动化系统、通信模块、网络设备、测试仪器和嵌入式系统。由于其高速访问能力和低功耗特性，该芯片也非常适合用于数据缓存、图形显示缓冲、微控制器外部存储扩展等应用。此外，它还可用于需要高可靠性和稳定性的汽车电子系统，如车载导航、车载信息娱乐系统（IVI）和智能驾驶辅助系统（ADAS）。

CY7C1019E、IS61LV1024、A611-10、IDT71V128SA