时间：2025/6/19 14:07:02
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WPN252010H3R3MT 是 Vishay 公司推出的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高频和高效率应用。它主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的场景。
该型号属于 Vishay 的 PowerPAK SO-8 封装系列，具备紧凑的外形尺寸和良好的散热性能，适合高密度设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：3.3mΩ
栅极电荷（典型值）：84nC
输入电容：1920pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
WPN252010H3R3MT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，可支持高频应用，降低开关损耗。
3. 采用 PowerPAK SO-8 封装，提供卓越的散热性能和紧凑的设计。
4. 出色的热稳定性和可靠性，能够适应极端温度环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 支持大电流连续工作，满足高性能功率转换需求。
WPN252010H3R3MT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 各类 DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信电源和适配器中的高效功率转换方案。
IRF3205, FDP5800, AO3400
