NS953C1BP32-02-EF-E1 是一款由 Nisshinbo(日新电机)生产的功率半导体芯片,主要应用于工业和汽车电子领域。该器件属于 IGBT 模块系列,具备高效率、低功耗及出色的热管理性能。其设计旨在支持大电流和高电压应用场合,例如变频器、逆变电源、新能源汽车驱动系统等。通过优化内部结构和材料选择,这款模块能够提供卓越的可靠性和稳定性。
额定电压:1200V
额定电流:300A
开关频率范围:1kHz~20kHz
导通压降(Vce(sat)):≤2.0V
关断损耗(Eoff):≤4.5mJ
开通损耗(Eon):≤3.8mJ
结温范围:-40℃~175℃
封装形式:标准双面冷却模块
NS953C1BP32-02-EF-E1 拥有以下显著特点:
1. 高效散热设计,适用于需要长时间稳定运行的环境。
2. 内部采用先进的硅基技术,确保低导通电阻和快速开关速度。
3. 支持高达 1200V 的阻断电压,满足高压工况下的使用需求。
4. 具备短路保护功能,提高整体系统的安全性和可靠性。
5. 提供优异的电磁兼容性(EMC),减少对其他电路的干扰。
6. 采用双面冷却结构,进一步提升散热效率,延长使用寿命。
7. 可在极端温度范围内正常工作,适应多种恶劣环境。
这款芯片广泛应用于以下领域:
1. 工业变频器和伺服驱动器,用于电机控制和能量转换。
2. 新能源汽车中的主驱逆变器和充电系统。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电设备。
4. 高端家用电器,如空调压缩机驱动和高效电焊机。
5. 不间断电源(UPS)以及各类大功率电力转换装置。
NS953C1BP32-02-EF-D1
NS953C1BP32-02-EF-F2