时间：2025/4/29 16:13:56
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PL8N10S8 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的功率晶体管，属于增强型场效应晶体管 (eGaN FET)。该器件具有高开关速度、低导通电阻和出色的热性能，适用于高频电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及 PFC（功率因数校正）电路。
与传统的硅基 MOSFET 相比，PL8N10S8 提供了更低的寄生电容和更高的效率，在高频操作中表现出显著优势。
类型：GaN 功率晶体管
耐压：100V
导通电阻：7mΩ（典型值，@Vgs=6V）
连续漏极电流：3>栅极驱动电压：4.5V ~ 6V
开关频率：高达几 MHz
封装形式：TO-263 或 DFN8
PL8N10S8 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，支持高频工作，减少磁性元件体积并提高功率密度。
3. 内置反向恢复电荷接近零的体二极管，有助于降低开关节点振铃和开关损耗。
4. 栅极兼容性设计，可直接与传统硅 MOSFET 驱动器配合使用。
5. 热阻较低，具备良好的散热能力。
6. 可靠性经过验证，适合工业和消费类电子产品中的高压高频场景。
PL8N10S8 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器。
2. 图形卡供电模块 (VRM) 和服务器电源。
3. 消费类快充适配器和无线充电设备。
4. 工业电机驱动及高效能源管理系统。
5. 光伏逆变器和不间断电源 (UPS) 设计。
6. 电动汽车中的车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器组件。
PSMN022-100YS, TPH2R100PDF, GS66508T
