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NRV2012T1R0NGF 发布时间 时间:2025/12/27 9:55:21 查看 阅读:10

NRV2012T1R0NGF是一款由Nisshinbo Micro Devices Inc.(日兴微电子)生产的高性能、低功耗、固定频率的同步降压型DC-DC转换器芯片。该器件采用小型化封装,适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备和高密度电源设计场景。NRV2012系列专为将较高的直流输入电压高效地转换为稳定的低输出电压而设计,广泛应用于电池供电设备、物联网终端、可穿戴设备、智能家居模块以及工业传感器等场合。该芯片内置了高边和低边功率MOSFET,支持高达1A的持续输出电流,能够实现高达95%以上的转换效率,显著降低系统功耗并减少散热需求。其工作输入电压范围宽,典型值为2.7V至6.5V,适合单节锂电池或3.3V/5V系统供电。输出电压出厂时已精确设定为1.0V,精度可达±2%,满足现代低压数字电路对电源稳定性的严苛要求。NRV2012T1R0NGF采用电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应能力,有效应对负载突变带来的电压波动,确保系统运行稳定。此外,该芯片集成了多种保护功能,包括过流保护、热关断保护和欠压锁定(UVLO),提升了系统的可靠性和安全性。在轻载条件下,芯片自动进入省电模式(PSM),通过降低开关频率来减少静态电流,延长电池续航时间。当负载增加时,自动切换回PWM模式以维持高效率和低纹波输出。此器件采用超小型TSOT-23-5封装,占用PCB面积小,便于高密度布局,并且无需外置肖特基二极管,进一步简化了外围电路设计。NRV2012T1R0NGF符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于自动化贴片生产流程。

参数

型号:NRV2012T1R0NGF
  制造商:Nisshinbo Micro Devices Inc.
  器件类型:同步降压型DC-DC转换器
  输出电压:1.0V(固定)
  输出电压精度:±2%
  最大输出电流:1A
  输入电压范围:2.7V ~ 6.5V
  开关频率:1.2MHz
  工作模式:PWM/PSM自动切换
  静态电流:45μA(典型值)
  关断电流:0.1μA(典型值)
  控制方式:电流模式控制
  封装形式:TSOT-23-5
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  集成MOSFET:是(同步整流)
  保护功能:过流保护、热关断、欠压锁定(UVLO)

特性

NRV2012T1R0NGF采用先进的电流模式控制架构,具备优异的瞬态响应性能,能够在负载电流快速变化时迅速调整占空比,维持输出电压的稳定性。该控制方式通过实时监测电感电流实现逐周期限流保护,增强了系统的可靠性。芯片内部集成了高压侧和低压侧的功率MOSFET,导通电阻低,减少了能量损耗,从而实现了高达95%以上的转换效率,特别适用于对能效要求高的便携式设备。其1.2MHz的高开关频率使得外部电感和电容可以选用更小尺寸的元件,有助于缩小整体电源解决方案的体积,满足紧凑型电子产品的需求。在轻载或待机状态下,芯片自动进入脉冲跳跃模式(PSM),显著降低开关活动和偏置电流,静态电流仅为45μA,极大延长了电池使用寿命。当负载增大时,系统无缝切换至强制PWM模式,确保输出纹波保持在较低水平,适用于对噪声敏感的射频或传感器电路。
  该器件具备完善的内置保护机制。过流保护功能在输出短路或过载时限制峰值电流,防止芯片损坏;热关断电路在结温超过安全阈值(通常为150°C)时自动关闭输出,待温度下降后恢复工作,实现自恢复保护;欠压锁定(UVLO)功能确保输入电压达到启动阈值后才允许芯片工作,避免因电源不稳定导致误操作。此外,NRV2012T1R0NGF具有软启动功能,可防止启动瞬间产生过大的浪涌电流,保护输入电源和后级电路。TSOT-23-5封装不仅体积小巧(约2.9mm x 1.6mm),还具备良好的热性能,适合手工焊接和SMT自动化生产。整个设计无需外接肖特基二极管,仅需一个电感、两个陶瓷电容即可完成完整电源方案,极大简化了设计流程和BOM成本。芯片符合AEC-Q100可靠性标准的部分等级要求,适用于工业级和消费类应用环境。

应用

NRV2012T1R0NGF广泛应用于各类需要高效、小型化电源解决方案的电子设备中。在便携式消费电子产品领域,如蓝牙耳机、智能手环、TWS耳机、电子标签和小型移动电源中,该芯片以其高效率和低静态电流优势显著提升电池续航能力。在物联网(IoT)节点和无线传感器网络中,常用于为MCU、RF收发器(如nRF系列)、Wi-Fi模组或LoRa芯片提供稳定的1.0V核心电压,确保在间歇性工作模式下的低功耗表现。在智能家居设备中,例如智能门锁、温控器、远程遥控器等,它可作为主控芯片的电源管理单元,实现长时间待机与快速唤醒的平衡。工业应用方面,适用于PLC模块、工业传感器、数据采集终端等对可靠性和温度适应性有较高要求的场合。此外,在医疗健康类可穿戴设备,如心率监测仪、血糖仪、体温贴等产品中,该芯片的高精度输出和低噪声特性有助于保障测量精度和系统稳定性。由于其封装小巧且外围元件少,也常被用于空间受限的模块化设计,如M.2接口的通信模组、SIM卡大小的嵌入式控制器等。对于需要从3.3V或5V系统降压至1.0V为低电压逻辑电路供电的应用场景,NRV2012T1R0NGF是一个理想的选择,尤其适合替代传统的LDO线性稳压器以提高整体能效。

替代型号

XC9236C10MR-G
  XC6223B10MR-G
  RT9199ABGS
  MT3608BN
  AP2112K-1.0

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NRV2012T1R0NGF参数

  • 现有数量2,450现货
  • 价格1 : ¥1.83000剪切带(CT)2,500 : ¥0.69752卷带(TR)
  • 系列NR, V Type
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感1 μH
  • 容差±30%
  • 额定电流(安培)1.65 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)2.2A
  • 屏蔽无屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)87.6 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-25°C ~ 120°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.079" 宽(2.00mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.047"(1.20mm)