时间：2025/9/6 22:03:32
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2SK260H 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于需要高耐压、高功率的电子设备中。该晶体管具有优异的导通特性和热稳定性，适用于电源开关、功率放大器及DC-DC转换器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：15A
最大漏-源电压：900V
最大栅-源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：约0.55Ω（典型值）
功率耗散：150W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-3P
2SK260H 具备出色的耐高压能力，其漏-源电压额定值高达900V，使其适用于高电压电源系统的设计。此外，该器件的导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统效率。它还具有良好的热稳定性，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
这款MOSFET采用了东芝先进的制造工艺，具有高可靠性和长寿命，适用于各种严苛环境下的电力电子设备。其TO-3P封装形式便于安装和散热，进一步提升了其在高功率应用中的实用性。
2SK260H 主要用于开关电源、逆变器、电机驱动、功率放大器以及各种工业控制设备中。它在高电压和高电流环境下表现出色，适用于需要高效率和高稳定性的功率控制场合。此外，该器件也常见于老式CRT显示器电源和高频电源转换器中。
2SK1530, 2SK1335, 2SK2141
