型号：NRS5020T101MMGJ
　　制造商：Murata
　　封装尺寸：5.0mm x 2.0mm (英制2010)
　　电容值：100pF
　　容差：±20%
　　额定电压：100V DC
　　介质类型：X7R（典型）
　　温度特性：-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 RC ≥ 1000 sec（取较大者）
　　耐湿性：符合IEC 60384-9标准
　　焊接方式：表面贴装（SMD）
　　端电极结构：三层端子（Ni/Sn镀层）
　　包装形式：编带卷装

NRS5020T101MMGJ作为村田公司推出的一款高可靠性多层陶瓷电容器，具备多项突出的技术特性，适用于多种严苛环境下的电子系统应用。首先，该电容器采用了X7R型陶瓷介质材料，这种II类电介质在宽温度范围内表现出优异的稳定性，具体表现为在-55°C至+125°C的工作温度区间内，电容值的变化不会超过±15%，这一特性使其非常适合用于对温度敏感的应用场景，如电源管理模块、信号调理电路和高频滤波网络中。
　　其次，该器件拥有较高的额定电压，通常为100V DC，这使得它能够在中高压电路中安全运行，有效避免因电压波动导致的击穿风险。同时，尽管其电容容差为±20%，略大于精密电路中使用的C0G/NP0类电容，但在大多数去耦和旁路应用中仍可接受，且成本更具优势。结合其较大的物理尺寸（5.0×2.0mm），能够承受更高的能量存储和脉冲电流能力，提升了整体系统的鲁棒性。
　　再者，NRS5020T101MMGJ采用三层端电极结构（Triple Layer Terminal Electrode），外层为锡（Sn）镀层，中间为镍（Ni）阻挡层，底层为铜或银钯合金，这种结构显著增强了焊接可靠性和抗热冲击性能，有效防止了由于热循环引起的端子开裂或脱落问题。此外，该结构还能减少“墓碑效应”（Tombstoning）的发生概率，提高SMT贴片良率。
　　该产品还具备良好的直流偏置特性，在施加接近额定电压的直流偏置时，其实际电容值下降幅度相对较小，优于许多同类产品，这对于维持滤波电路性能至关重要。同时，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）使其在高频下依然保持优良的去耦效果，适用于高速数字电路中的局部电源去耦。
　　最后，该器件符合RoHS指令要求，无铅兼容，支持无铅回流焊工艺（最高耐温约260°C，持续时间不超过10秒），并采用编带包装，便于自动化贴片机供料，满足现代大规模电子制造的需求。综合来看，NRS5020T101MMGJ是一款集高电压、大尺寸、良好温度稳定性和高可靠焊接结构于一体的工业级MLCC，适用于复杂电磁环境和长期运行的高端电子设备。

NRS5020T101MMGJ因其高耐压、稳定的温度特性和可靠的机械结构，被广泛应用于多个高要求的电子领域。在工业控制设备中，常用于PLC模块、变频器和伺服驱动器的电源去耦与噪声滤波，以确保控制系统在恶劣电磁环境中稳定运行。在汽车电子方面，适用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统和ADAS传感器供电电路，满足AEC-Q200可靠性标准的部分等级要求，具备较强的抗振动和耐温冲击能力。在通信基础设施中，可用于基站射频单元、光模块和交换机电源板，发挥其高频响应和低损耗的优势。此外，在医疗电子设备、测试测量仪器以及高端消费类电子产品（如游戏主机、高性能路由器）中也常见其身影，用于关键节点的电源稳压和信号完整性保障。由于其100V额定电压和100pF电容值的组合较为适中，特别适合用于跨接在中高压信号路径中的耦合电容或RC缓冲电路中，有效抑制尖峰电压和电磁干扰。

GRM5020C71H101JA01D
　　CL21B101MBANNNC
　　C2012X7R1H101K