时间：2025/8/2 7:06:22
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TPH8R903NL 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的 N 沟道功率 MOSFET。该器件主要设计用于高效率电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等。TPH8R903NL 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：160 A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：8.7 mΩ（典型值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：200 W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220SM（表面贴装）
TPH8R903NL 具备多项优良特性，使其适用于高功率和高效率的电源系统。
首先，该器件的导通电阻非常低，典型值为 8.7 mΩ，在 Vgs=10V 时，可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。这对于需要高效能的电源转换器（如服务器电源、通信设备电源、电动工具和电池管理系统）尤为重要。
其次，TPH8R903NL 的最大漏源电压为 30V，连续漏极电流可达 160A，具备出色的电流承载能力。这使其能够在高负载条件下稳定运行，适用于高功率密度设计。
此外，该器件采用 TO-220SM 封装，支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和提高 PCB 布局的灵活性。这种封装形式也有助于提高散热性能，确保器件在高负载下仍能保持稳定的工作温度。
TPH8R903NL 还具备良好的热稳定性和可靠性，适用于各种恶劣工作环境。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其能够在工业级和汽车电子系统中稳定运行。
综合来看，TPH8R903NL 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的应用场景。
TPH8R903NL 主要应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器：适用于服务器、通信设备和工业电源中的高效能电源转换系统。
2. 同步整流器：用于提高开关电源和隔离式 DC-DC 转换器的效率。
3. 负载开关：可作为电子设备中的高侧或低侧开关，实现对负载的精确控制。
4. 电池管理系统：适用于电动工具、无人机、储能系统和电动汽车中的电池充放电管理电路。
5. 高功率密度电源模块：由于其低导通电阻和高电流承载能力，TPH8R903NL 可用于设计小型化、高效的电源模块。
6. 工业控制和自动化设备：在需要高可靠性和高效率的工业控制系统中作为功率开关使用。
SiR862ADP, TPH8R906NL, CSD17501QPA, FDS6680, IPB013N06N G
