CED51A3 时间：2025/12/28 12:33:35 阅读：6

CED51A3是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管，采用SMA封装。该器件设计用于高频开关应用，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适合在高效率电源转换电路中使用。CED51A3的结构基于肖特基势垒原理，利用金属-半导体结实现较低的导通压降，从而减少功率损耗并提升系统整体能效。该二极管广泛应用于DC-DC转换器、续流二极管、极性保护电路以及反向电压隔离等场景。其SMA封装形式具备良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产工艺，符合现代电子产品小型化、高密度组装的需求。此外，CED51A3通过了可靠性测试，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业控制、消费电子及通信设备等多种应用场景。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　最大重复反向电压（VRRM）：50V
　　平均整流电流（IO）：1.0A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.55V @ 1.0A（典型值），0.6V @ 1.0A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.4mA @ 50V（25°C）
　　反向恢复时间（trr）：< 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　储存温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C

特性

CED51A3的核心特性之一是其低正向电压降，在1A电流下典型值仅为0.55V，最大不超过0.6V。这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率，尤其适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场合。由于采用肖特基势垒结构，该器件不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间小于5纳秒，远优于传统PN结二极管。这使得CED51A3非常适合用于高频开关电源、PWM控制器输出整流以及高速开关电路中，有效减少开关过程中的能量损失和电磁干扰。此外，该器件能够承受高达30A的峰值浪涌电流（8.3ms单半正弦波），表明其具备较强的瞬态过载能力，增强了系统在启动或负载突变情况下的可靠性。
　　CED51A3采用SMA表面贴装封装，尺寸紧凑，便于集成于高密度PCB布局中，支持回流焊工艺，满足现代自动化生产需求。其热阻特性良好，有助于将工作时产生的热量有效传导至PCB，延长器件寿命。该二极管的工作结温范围为-65°C至+125°C，可在恶劣环境条件下保持稳定性能，适用于工业级应用。同时，反向漏电流在室温下最大为0.4mA，在50V反向电压下仍保持较低水平，虽然随着温度升高会有所增加，但在正常工作范围内仍处于可接受范围。综合来看，CED51A3凭借其高效、快速、可靠的特点，成为众多开关电源和整流电路中的优选方案。

应用

CED51A3广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子电路中。常见用途包括DC-DC升压、降压及反激式转换器中的输出整流二极管，因其低VF特性可显著提升转换效率，特别适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和移动电源等对功耗敏感的产品。此外，它也常被用作续流二极管（Flyback Diode），在电感性负载（如继电器、电机驱动电路）断电时提供电流泄放路径，防止感应高压损坏开关元件。在AC-DC适配器、LED驱动电源和USB充电模块中，CED51A3可用于次级侧整流，替代传统快恢复二极管以降低温升和能耗。其快速响应能力还使其适用于高频逆变器和开关模式电源（SMPS）中的箝位和隔离功能。在汽车电子领域，尽管未明确标注为AEC-Q101认证器件，但仍可用于非关键性的辅助电源管理单元。此外，由于其具备一定的浪涌承受能力，也可用于输入端的极性反接保护电路，防止因电源接反而导致主电路损坏。总体而言，CED51A3适用于所有要求小型化、高效率和高频率工作的中低功率整流场合。