型号：NQE7520MC(SL7RD)
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：75 V
　　最大漏极电流（ID）：100 A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.0 mΩ @ VGS=10V, 50A
　　导通电阻（RDS(on)）：2.4 mΩ @ VGS=4.5V, 50A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 3.0 V
　　栅极电荷（Qg）：95 nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：4600 pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　最大功耗（PD）：320 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerT7
　　安装方式：表面贴装（SMD）

NQE7520MC(SL7RD)采用了安森美先进的Trench沟道MOSFET工艺技术，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直的沟道来增加单位面积内的有效导电通道数量，从而显著降低导通电阻RDS(on)。该器件在VGS=10V时可实现低至2.0mΩ的典型导通电阻，在大电流应用中能够有效减少I2R损耗，提高系统效率。同时，其RDS(on)随温度变化的线性度良好，确保在高温环境下仍能维持稳定的导通性能。此外，该MOSFET的沟道设计还优化了载流子迁移率，提升了开关响应速度，使其在高频DC-DC变换器中表现出更低的能量损耗和更高的功率密度。
　　该器件具有极低的栅极电荷（Qg=95nC），这直接关系到驱动电路所需的能量和开关过程中的动态损耗。较低的Qg意味着可以用更小的驱动电流完成快速开关动作，有助于减小控制器的负担并提升整体系统的开关频率上限。配合低米勒电容（Crss）设计，NQE7520MC(SL7RD)展现出优异的抗噪声能力和dv/dt耐受性，避免因寄生效应引起的误触发问题。其输入电容Ciss为4600pF，在高频应用中有利于匹配阻抗和减少谐振风险。
　　在热管理方面，PowerT7封装提供了出色的热阻性能，典型结到外壳热阻（RθJC）仅为0.4°C/W，使得热量可以高效地从芯片传递至PCB或散热器。该封装还具备多个裸焊盘设计，增强了机械连接强度和电气接地可靠性。器件支持双面冷却配置，进一步提升了散热能力，适用于高功率密度设计。此外，NQE7520MC(SL7RD)经过严格的雪崩能量测试和短路耐受测试，具备较强的鲁棒性，可在瞬态过压或负载突变情况下保持安全运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于极端环境下的工业和汽车级应用。

NQE7520MC(SL7RD)主要应用于需要高效率、高电流和高频率切换能力的电源系统中。在服务器和数据中心的48V中间母线架构中，它常被用作同步整流MOSFET，替代传统肖特基二极管以大幅降低导通损耗，提升整体电源转换效率。其低RDS(on)和高电流承载能力使其非常适合用于多相VRM（电压调节模块）设计，为高性能CPU和GPU提供稳定供电。在通信基站和电信整流电源中，该器件可用于LLC谐振转换器或硬开关全桥拓扑中的主开关管，实现高效能的能量传输。
　　在工业电源领域，NQE7520MC(SL7RD)广泛应用于大功率AC-DC和DC-DC电源模块，如焊接设备、激光电源和UPS不间断电源系统。其快速开关特性有助于缩小磁性元件体积，从而实现更高功率密度的设计目标。此外，该器件也适用于电动工具、电动汽车车载充电机（OBC）以及储能系统的双向DC-DC转换器中，承担能量双向流动的开关任务。在光伏逆变器和太阳能微逆系统中，它可用于MPPT升压电路或H桥同步整流部分，提升发电效率。
　　由于其表面贴装封装形式和良好的可焊性，NQE7520MC(SL7RD)非常适合自动化贴片生产线，广泛用于通信模块、工业控制板卡和高端消费电子产品中。其高可靠性也使其成为工业自动化、轨道交通和医疗设备等对长期稳定性要求较高的领域的首选器件。随着5G基础设施建设和绿色能源系统的快速发展，该MOSFET在下一代高效电源系统中的应用前景十分广阔。

NQD7520MC
　　SQJQ7520EL
　　FDMC7520