时间：2025/6/16 17:32:51
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ST15VFN203 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件采用小型化的 SOT-23 封装，适用于需要高效率和小尺寸的应用场景。ST15VFN203 的最大漏源电压为 20V，具有低导通电阻特性，能够支持高达 3.1A 的连续漏极电流。它广泛应用于开关电源、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用中。
ST15VFN203 的设计结合了高性能与紧凑封装的优点，非常适合对空间敏感的便携式设备和消费类电子产品。此外，其较低的栅极电荷和快速开关速度也使其成为高频应用的理想选择。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极阈值电压：1V 至 2.5V
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：SOT-23
1. 高电流承载能力：连续漏极电流高达 3.1A，满足多种功率需求。
2. 低导通电阻：典型值仅为 75mΩ，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷，确保在高频条件下高效运行。
4. 紧凑封装：采用 SOT-23 封装，适合空间受限的设计。
5. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +150℃，能够在恶劣环境下稳定工作。
6. ESD 保护：内置静电放电保护功能，提高了器件的可靠性。
1. 开关电源（SMPS）：
ST15VFN203 可用于初级或次级侧开关，在 DC-DC 转换器中提供高效的功率传输。
2. 负载开关：
其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用作负载开关，以实现快速且高效的电源切换。
3. 电机驱动：
该 MOSFET 能够驱动小型直流电机，适用于玩具、家用电器和其他消费类设备。
4. 电池管理：
可用于电池充电电路和保护电路，确保电池安全充放电。
5. 信号切换：
利用其快速开关特性，可作为信号路径中的切换元件。
STP3KF06,
IRLML6402,
BSS138
