NP82N055PUG 时间：2025/6/20 14:17:52 阅读：5

NP82N055PUG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于高效率、高频率的开关电源和电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的整体效率并降低热损耗。
　　NP82N055PUG 的封装形式为行业标准的 PUG 封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合在严苛环境下工作。

参数

最大漏源电压：55V
　　连续漏极电流：10A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：37nC
　　输入电容：1200pF
　　总功耗：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

NP82N055PUG 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻，可有效减少导通状态下的功率损耗。
　　2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
　　3. 高雪崩能量能力，提供更强的系统保护功能。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　5. 良好的热稳定性和电气特性，适应多种工业应用需求。
　　6. 高电流承载能力，适用于大功率负载场景。

应用

NP82N055PUG 广泛应用于以下几个领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
　　2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
　　3. LED 照明驱动电路。
　　4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
　　5. 工业自动化设备中的功率转换模块。
　　6. 汽车电子中的各种功率管理单元。
　　由于其高效的开关特性和耐高温能力，NP82N055PUG 在需要高可靠性和高效能的场景中表现出色。