IXBH10N300HV 时间：2025/8/6 1:28:50 阅读：29

IXBH10N300HV是一款由IXYS公司制造的高电压、高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高耐压和高效率的应用设计。这款MOSFET能够在极端的电压条件下工作，适用于电力电子领域中的高压系统，如电源转换器、逆变器以及电机控制电路。其高耐压能力（3000V）使其能够在苛刻的电气环境中保持稳定性能。

参数

类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏源电压(Vds)：3000V
　　最大漏极电流(Id)：10A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.0Ω
　　最大功耗(Pd)：150W
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：约4.5V
　　

特性

IXBH10N300HV具有出色的高压处理能力，能够承受高达3000V的漏源电压。这使得它在高电压电源转换和工业应用中表现出色。其10A的连续漏极电流能力，使其适用于中高功率应用。该器件的导通电阻较低，有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和高耐用性，确保在高温环境下也能可靠运行。
　　其TO-247封装形式有助于有效的散热，适用于需要高功率密度和良好热管理的设计。该器件还具有快速开关特性，适用于高频操作，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。IXBH10N300HV还具备较高的抗雪崩能力，确保在突发电压或电流条件下仍能维持稳定运行。

应用

IXBH10N300HV适用于各种高压和高功率电子系统，包括工业电源、高压直流转换器、UPS（不间断电源）、逆变器、电机驱动器、感应加热设备以及高电压测试设备。它在可再生能源系统（如太阳能逆变器）和电动汽车充电系统中也有广泛应用。由于其高耐压和高可靠性的特点，该MOSFET也常用于航空航天、军工设备等对电子元件要求极高的领域。