NM95MS14VBH 是一款高性能的 NAND 闪存芯片,广泛应用于存储设备中。该芯片具有高可靠性、高速读写能力以及较低的功耗。其采用先进的制程工艺制造,支持多种接口和协议,适用于消费电子、工业设备以及嵌入式系统等领域的数据存储需求。
这款芯片具备多级单元(MLC)技术,能够在每个存储单元中保存多个比特的数据,从而有效提升存储密度并降低单位容量的成本。同时,它还内置了错误检测与纠正机制(ECC),以确保数据的完整性和可靠性。
容量:128GB
接口类型:Toggle DDR 2.0
工作电压:2.7V~3.6V
数据传输速率:最高 400MB/s
擦写寿命:3000 次(典型值)
封装形式:TSOP
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
尺寸:16mm x 12mm x 1.2mm
NM95MS14VBH 的主要特性包括:
1. 高速读写性能:支持 Toggle DDR 2.0 接口,提供高达 400MB/s 的数据传输速率。
2. 大容量存储:单颗芯片即可实现 128GB 的存储容量,满足现代设备对大容量存储的需求。
3. 可靠性设计:内置 ECC 纠错功能,能够有效减少数据错误率,提升数据可靠性。
4. 节能环保:低功耗设计,有助于延长设备电池续航时间,并符合绿色环保要求。
5. 广泛的工作温度范围:从 -40℃ 到 +85℃,使其在极端环境下依然保持稳定运行。
6. 小型化封装:采用 TSOP 封装,体积小巧,适合空间受限的应用场景。
NM95MS14VBH 主要应用于以下领域:
1. 存储卡:如 SD 卡、microSD 卡等,用于手机、相机等便携式设备的扩展存储。
2. 固态硬盘(SSD):作为 SSD 的核心存储组件,提供大容量和高性能的数据存储。
3. 嵌入式系统:为工业控制、医疗设备等嵌入式系统提供可靠的数据存储解决方案。
4. 消费电子产品:如平板电脑、智能音箱等需要大容量存储的消费类电子产品。
5. 物联网设备:支持 IoT 设备中的数据记录与存储需求,特别是在边缘计算节点的应用中。
NM95MS14VBG, NM95MS14VBL