MDA710-26N1 是一款由Microsemi(现为Microchip Technology)生产的功率MOSFET模块,主要用于高功率应用。该模块采用先进的封装技术,具有优异的热性能和电气性能,适用于需要高可靠性和高效能的工业和电源管理系统。
类型:功率MOSFET模块
漏源电压(Vds):700V
漏极电流(Id):26A
导通电阻(Rds(on)):0.17Ω
封装类型:双列直插式封装(DIP)
工作温度范围:-55°C至150°C
栅极电压(Vgs):±20V
功率耗散(Pd):180W
MDA710-26N1 功率MOSFET模块具有多项优异特性。其高耐压能力(700V)和较大的漏极电流(26A)使其适用于高功率应用。该模块的低导通电阻(0.17Ω)有助于减少导通损耗,提高系统效率。
此外,模块采用了高效的散热设计,确保在高负载条件下依然保持良好的热稳定性,从而延长使用寿命。其双列直插式封装(DIP)形式不仅便于安装,还增强了机械强度和可靠性,适用于恶劣的工业环境。
该器件还具备良好的抗过载和短路保护能力,能够在异常工作条件下保持稳定运行,从而提高系统的整体安全性。
MDA710-26N1 功率MOSFET模块广泛应用于各种高功率电子设备中。常见的应用包括工业电源、电机驱动器、不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)以及太阳能逆变器等。由于其优异的电气和热性能,该模块也适用于需要高可靠性和高性能的自动化控制系统和电力电子设备。
MDA710-26N1 的替代型号包括MDA710-24N1 和 IXFN26N70X,它们在电气特性和封装形式上具有相似性,可根据具体应用需求进行选择。