RFX5000B 是一款高性能的射频功率晶体管,专为无线通信应用中的线性功率放大器设计。该器件采用先进的LDMOS技术制造,具有高效率、高增益和良好的线性度等特性。RFX5000B工作频率范围广,适合用于蜂窝基站、无线基础设施以及其他需要大功率射频放大的应用场景。
RFX5000B能够在较宽的频率范围内提供稳定的输出功率,并且其坚固的设计使其能够承受高驻波比(VSWR)条件下的操作。此外,它还支持多种偏置模式,以满足不同系统架构的需求。
工作频率:700MHz 至 2700MHz
输出功率:50W(典型值)
增益:14dB(典型值)
效率:大于50%(典型值)
供电电压:28V
封装形式:TO-247-3
RFX5000B 的主要特性包括:
1. 高功率输出能力,在700MHz到2700MHz范围内可提供高达50W的输出功率。
2. 良好的线性度性能,确保在多载波和复杂调制信号环境下的优异表现。
3. 支持AB类或Doherty架构等多种工作模式,适应不同的功率放大需求。
4. 高效的能量转换效率,有助于降低散热需求并提高系统的整体能效。
5. 宽带设计允许单一器件覆盖多个频段,减少设计复杂性和成本。
6. 具备强大的抗高VSWR能力,增强了系统可靠性。
7. 引脚兼容性强,便于与前代产品或其他型号集成替换。
RFX5000B 广泛应用于无线通信领域,特别是对射频功率有较高要求的场景中。典型的应用包括:
1. 蜂窝基站放大器,适用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE以及未来的5G网络。
2. 固定无线接入(FWA)设备中的功率放大模块。
3. 移动通信直放站和中继器的功率放大单元。
4. 工业、科学和医疗(ISM)频段相关设备的射频功率驱动。
5. 军事和航空电子系统中的高功率射频发射部分。
6. 测试测量仪器中的信号源放大组件。
RFX5000A, RFX6001B, MRF7S5010N