类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　品牌：Samsung Electro-Mechanics
　　产品系列：CL
　　电容：1500pF (1.5nF)
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　温度系数/电介质：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　外壳尺寸代码（EIA）：0805
　　外壳尺寸（公制）：2012
　　长度：2.0mm
　　宽度：1.25mm
　　高度：1.25mm
　　端接：镍/锡（Ni/Sn）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　老化率：≤±0.1% / decade
　　绝缘电阻：≥100GΩ 或 CR ≥ 5000MΩ·μF
　　耗散因数（DF）：≤0.1%

CL31B152KGFNNNE采用C0G（即NP0）型陶瓷介质，这是目前最稳定的电介质之一，能够在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）保持电容值的高度一致性。其温度系数接近于零，典型值为±30ppm/°C以内，这意味着即使在极端温变环境下，电容值也不会发生显著漂移，从而保证电路参数的长期稳定。这种稳定性对于高频谐振电路、时钟振荡器、PLL环路滤波器等对频率精度要求极高的应用至关重要。相比X7R、Y5V等高介电常数但稳定性较差的材料，C0G介质虽然单位体积容量较低，但其线性响应和低畸变特性无可替代。
　　该器件具有极低的介电损耗，耗散因数（DF）通常低于0.1%，使其在高频应用场景下发热极小，能量转换效率高。同时，其绝缘电阻高达100GΩ以上或满足CR≥5000MΩ·μF的标准，漏电流极低，非常适合用于高阻抗节点、采样保持电路和微弱信号调理系统。由于C0G材料不具铁电性，因此不存在电压依赖性电容变化（即直流偏压效应），无论施加多大电压（在额定范围内），电容值均保持恒定，这一特性在电源去耦、参考电压滤波等场景中尤为重要。
　　CL31B152KGFNNNE采用镍/锡（Ni/Sn）端电极结构，具有良好的可焊性和耐热冲击能力，支持回流焊接工艺，适用于自动化贴片生产线。其0805（2012）封装尺寸在空间利用率与焊接可靠性之间取得良好平衡，既适合紧凑型设计，又避免了更小型号带来的焊接缺陷风险。器件通过AEC-Q200认证的可能性较高，可用于汽车电子中的非动力总成系统。此外，该产品不含铅和其他有害物质，符合RoHS和REACH环保指令，支持绿色电子产品制造。整体而言，该MLCC是一款高性能、高可靠性的基础元件，适用于对信号完整性、长期稳定性及环境适应性有严格要求的应用领域。

CL31B152KGFNNNE因其卓越的稳定性与低损耗特性，广泛应用于需要精确电容值维持的高频与模拟电路中。典型用途包括射频（RF）前端模块中的匹配网络、天线调谐电路、低噪声放大器（LNA）旁路与耦合、无线通信系统（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee）中的LC振荡器与滤波器。在时钟生成电路中，它常被用于晶体振荡器的负载电容配置，确保频率输出精准且不受温度波动影响。此外，在精密测量仪器、医疗电子设备、测试与检测装置中，该电容用于信号链前端的抗混叠滤波和ADC驱动电路，有效提升系统分辨率与信噪比。
　　在音频处理领域，由于C0G介质无压电效应，不会因机械振动引入额外噪声，因此特别适用于高保真音响系统的音量控制缓冲、均衡器反馈网络和DAC输出滤波。工业控制系统中的传感器信号调理电路也大量采用此类电容，以保障微弱信号采集的准确性。在电源管理方面，尽管容量较小，但它可作为高速开关节点的高频去耦电容，配合大容量X7R或钽电容使用，有效抑制高频噪声传播。汽车电子中的信息娱乐系统、车载通信模块和ADAS传感器接口同样采用该型号，以满足高温环境下的长期可靠性需求。总之，凡是对电容稳定性、线性度和低失真有严苛要求的场合，CL31B152KGFNNNE都是理想的选择。

GRM21BR71H152KA01L
　　C2012X5R1H152K125AB
　　CL21B152KBANNNC
　　CC0805KRX7R9U152
　　EMK212B7HH152KA-T