产品类型：固定电感器
　　电感值：15 μH
　　容差：±10%
　　直流电阻（DCR）：典型值约360 mΩ（最大可达450 mΩ）
　　额定电流：约100 mA（基于温升40°C定义）
　　自谐振频率（SRF）：典型值大于100 MHz（具体取决于测试条件）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装尺寸：2.5 mm × 2.0 mm × 1.2 mm（0805英制）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　基板材料：陶瓷基薄膜结构
　　端电极：镍/锡镀层，兼容无铅焊接工艺

NLFV25T-150K采用先进的薄膜沉积技术，在陶瓷基板上逐层构建螺旋线圈结构，从而实现极高的几何精度与电气一致性。这种制造工艺显著降低了传统绕线电感中存在的寄生效应，提升了整体品质因数（Q值），使其在高频段表现出更低的损耗和更高的效率。其Q值在典型工作频率下可达到50以上，远高于同尺寸的普通多层片式电感，特别适合用于对信号完整性要求严苛的射频前端电路。此外，由于采用了稳定的陶瓷介质和精密光刻工艺，该器件具备优异的温度系数表现，电感值随温度变化极小，长期使用中保持性能稳定。
　　该电感具有较低的直流电阻（DCR），有助于减少功率损耗并提高电源转换效率，尤其在微功率射频放大器或低功耗接收链路中显得尤为重要。尽管额定电流相对较小（约100mA），但其在小信号应用中的表现极为出色。同时，器件具备良好的抗机械应力能力，能够在回流焊过程中承受高温冲击而不发生性能劣化。其端子采用双层金属化结构（如镍阻挡层加锡外层），不仅增强了可焊性，还有效防止了银迁移等可靠性问题，提升了在潮湿环境下的长期稳定性。
　　由于其自谐振频率较高（SRF > 100MHz），NLFV25T-150K可在VHF频段内可靠工作，适用于各种调谐电路、阻抗匹配网络和带通滤波器设计。它能够有效抑制杂散信号，提升系统选择性和抗干扰能力。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，适用于全球范围内的消费类电子产品制造。整体而言，NLFV25T-150K是一款集高性能、高稳定性和高集成度于一体的先进片式电感，是现代高频模拟和射频电路设计中的理想选择。

NLFV25T-150K主要用于高频模拟与射频电路设计领域，尤其是在空间紧凑且对性能要求较高的便携式电子设备中。其典型应用包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的射频前端模块（RF Front-End Modules），用于蜂窝通信（如LTE、5G sub-6GHz）、Wi-Fi（2.4GHz和5GHz频段）及蓝牙/Zigbee无线连接系统的阻抗匹配网络。在这些应用中，该电感常与片式电容组成LC谐振回路，精确调节天线输入阻抗，以最大化信号传输效率并减少反射损耗。
　　此外，该器件也广泛应用于各类射频识别（RFID）读写器和标签电路中，作为调谐元件来设定工作频率点，确保系统在指定频段（如13.56MHz近场通信NFC）内高效运行。在低噪声放大器（LNA）和混频器偏置电路中，NLFV25T-150K可用作射频扼流圈（RFC），阻止高频信号进入电源线路，同时允许直流偏置电流顺利通过，从而保障放大器的稳定工作状态。
　　在无线传感器网络、物联网（IoT）节点和智能家居控制模块中，该电感被用于构建小型化的LC滤波器，滤除开关电源引入的高频噪声，净化敏感模拟供电轨。其高Q值特性也有助于提升振荡器电路的相位噪声性能，适用于压控振荡器（VCO）和锁相环（PLL）中的调谐元件。由于具备良好的温度稳定性和长期可靠性，该器件也可用于工业自动化设备、车载信息娱乐系统和远程监控终端等严苛环境中。总之，凡是对高频特性、体积限制和长期稳定性有较高要求的应用场景，NLFV25T-150K均能提供可靠的解决方案。

NLFV25T-150J
　　NLS2520T-150K
　　DLW21SN150XK