类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：10A
　　脉冲漏极电流（IDM）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：0.78Ω（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤1.05Ω（最大值）
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：290pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　反向恢复电荷（Qrr）：37nC
　　最大功耗（PD）：150W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220F

RBQ10B65A采用了瑞萨电子先进的沟槽式场截止（Trench Field-Stop）工艺技术，这种结构优化了电场分布，显著提升了器件的击穿电压能力和开关速度。其低导通电阻RDS(on)确保了在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，提高了电源系统的整体转换效率。同时，该MOSFET具备出色的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的电气性能，避免因热失控导致的器件失效。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为45nC @ VDS=500V，这使得驱动电路的设计更加简便，并减少了驱动损耗，特别适用于高频开关应用如LLC谐振变换器和有源钳位反激拓扑。此外，其快速体二极管具有较小的反向恢复电荷（Qrr），有效抑制了在硬开关过程中产生的电压尖峰和电磁干扰，增强了系统的可靠性和EMI兼容性。
　　RBQ10B65A还具备良好的雪崩耐量能力，能够在瞬态过压情况下吸收一定的能量而不发生损坏，进一步提高了电源系统的鲁棒性。其TO-220F封装具有优良的散热性能，可通过外接散热片将热量迅速传导至外部环境，保障长时间稳定运行。该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温栅极偏置（HTGB）、高温高压反向偏置（HTRB）等，确保在工业级应用场景下的长期耐用性。

RBQ10B65A广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高效能和高可靠性的场合。它常用于通信电源、服务器电源模块、工业自动化设备中的DC-DC转换器以及光伏逆变器的主开关或同步整流部分。在这些应用中，RBQ10B65A能够以较低的导通损耗和开关损耗实现高效的能量转换，满足现代电子设备对节能和小型化的需求。
　　此外，该MOSFET也适用于LED驱动电源、不间断电源（UPS）以及电动车辆充电设备中的功率转换环节。由于其具备较高的耐压能力和良好的热管理特性，RBQ10B65A可在宽输入电压范围内稳定工作，适应电网波动较大的环境。在家电领域，如空调、洗衣机等变频控制电路中，该器件可用于功率因数校正（PFC）级，提升用电效率并符合国际能效标准。凭借其优异的EMI表现，RBQ10B65A也有助于简化滤波电路设计，降低系统成本。

SPW47N60CFD
　　FQA10N60E
　　STF10N60M2
　　K2106S65T