型号：UTC5N60L-A-TN3-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4.8A @ 100°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：19.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω @ Vgs=10V, Id=2.4A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：35pF @ Vds=25V
　　总栅极电荷（Qg）：38nC @ Vds=480V, Id=4.8A
　　上升时间（tr）：70ns
　　下降时间（tf）：30ns
　　反向恢复时间（Trr）：65ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装：TO-220
　　安装类型：通孔

UTC5N60L-A-TN3-R采用了先进的平面栅结构与场板优化设计，在保证600V高击穿电压的同时实现了较低的导通电阻，典型值仅为2.2Ω（在Vgs=10V、Id=2.4A条件下测得），有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率。器件具备良好的热稳定性，其热阻抗（Rth(j-c)）较低，配合TO-220封装可实现高效的热量传导，适合长时间高负载运行环境。
　　该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，经过严格测试验证，能够承受多次非重复性雪崩事件而不损坏，提升了系统在异常工况（如电压突变、负载突卸）下的鲁棒性。其栅极氧化层经过特殊工艺处理，支持±30V的栅源电压耐受能力，增强了对驱动电路瞬态过压的容忍度，降低因栅极击穿导致失效的风险。
　　动态特性方面，UTC5N60L-A-TN3-R拥有较低的输入、输出及反向传输电容，分别约为1100pF、190pF和35pF（测试条件Vds=25V），这有助于减少开关过程中的充放电损耗，从而实现更高的工作频率。总栅极电荷Qg为38nC（Vds=480V，Id=4.8A），使得驱动电路设计更加简便且功耗更低。同时，其较快的上升时间（70ns）和下降时间（30ns）进一步优化了开关速度，减少交越损耗。
　　体二极管反向恢复时间Trr为65ns，表现出较好的反向恢复特性，有助于抑制电压尖峰和振荡，减小电磁干扰（EMI），特别适用于连续导通模式（CCM）PFC电路或LLC谐振变换器等对开关噪声敏感的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。

UTC5N60L-A-TN3-R广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其是在需要高效能、高可靠性的场合。常见应用包括手机、笔记本电脑、家电等设备使用的AC-DC适配器与充电器，这类电源通常工作在65W以下功率范围，要求主开关管具备良好的效率和成本平衡，该MOSFET凭借其低Rds(on)和成熟工艺成为理想选择。
　　在LED照明驱动电源领域，特别是离线式反激（Flyback）拓扑结构中，UTC5N60L-A-TN3-R作为主开关器件可提供稳定的开关性能，适应宽输入电压范围（85VAC~265VAC），并能在高频下保持较低损耗，有助于实现小型化与高光效设计。
　　此外，该器件也适用于待机电源（Standby Power Supply）、辅助电源（Auxiliary Rail）、电机控制中的低端开关以及DC-DC转换前级开关等场景。由于其具备较强的抗浪涌能力和良好的热管理特性，也可用于工业控制设备、智能电表、网络通信电源模块等对长期运行稳定性要求较高的产品中。
　　在设计使用时，建议搭配合适的驱动电路以确保栅极信号上升/下降沿陡峭，避免长时间处于线性区造成过热；同时应注意PCB布局中的热焊盘连接与散热路径设计，必要时加装散热片以延长器件寿命。

KIA5N60F\KIA5N60\STP5NK60ZFP\STP5NK60Z\FQP5N60L