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NLB-300 发布时间 时间:2025/8/16 9:18:25 查看 阅读:22

NLB-300是一款由NVE Corporation制造的磁阻隔离器芯片,属于其Nano耦合器系列。该器件基于磁阻技术,能够实现高速、低功耗的信号隔离。NLB-300主要用于需要高可靠性和高隔离电压的应用,如工业自动化、电源管理和通信设备。该芯片采用小型封装,具备出色的抗干扰能力,适用于恶劣环境下的信号传输需求。

参数

类型:磁阻隔离器
  隔离电压:2500 VRMS
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC
  传输速率:100 Mbps
  供电电压:2.7V 至 5.5V
  功耗:低功耗设计,典型电流为10mA
  信号方向:单向传输
  绝缘材料:基于半导体工艺的磁性隔离层

特性

NLB-300采用了NVE公司独有的磁阻(GMR)技术,通过磁场的变化实现信号的传输,而无需传统的光耦或电容式隔离方式。这种技术使得NLB-300具有更高的传输速率和更低的功耗,同时避免了传统光耦因LED老化而导致的寿命问题。该芯片支持高达100 Mbps的数据传输速率,适用于高速数字隔离应用。NLB-300的工作温度范围宽,能够在-40°C至+85°C的环境下稳定工作,适合工业级应用。此外,其供电电压范围为2.7V至5.5V,使其能够与多种逻辑电平兼容,增强了系统的灵活性。该器件的8引脚SOIC封装形式不仅节省空间,而且便于PCB布局和自动化生产。NLB-300的磁性隔离层具备优异的抗干扰能力,可在高噪声环境下保持信号完整性,确保数据的可靠传输。

应用

NLB-300广泛应用于需要电气隔离的工业控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口、电机驱动器等。在通信设备中,它可用于隔离RS-485、CAN总线等通信接口,提升系统的抗干扰能力和可靠性。在电源管理系统中,NLB-300可用来隔离数字控制信号与高压电路,确保操作安全。此外,由于其低功耗和高速特性,该芯片也可用于医疗设备、测试仪器和智能电网等领域。

替代型号

Si86xx系列, ISO77xx系列, ADuM1xx系列

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NLB-300参数

  • 频率范围:0Hz 到 10GHz
  • 增益:13dB
  • 噪声:4.9dB
  • 功耗, Pd:300mW
  • 射频类型:蜂窝、DWDM, LMDS, PMP, PTP, UNII, VSAT, WLAN
  • 电源电流:50mA
  • 电源电压范围:3.6V 到 4.2V
  • 封装类型:Micro-X
  • 针脚数:4
  • 工作温度范围:-45°C 到 +85°C
  • MSL:MSL 3 - 168小时